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1. (WO2003087936) PROCEDE DE TRAITEMENT DE PELLICULES DIELECTRIQUES POREUSES SERVANT A REDUIRE LES DOMMAGES LORS DU NETTOYAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/087936    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/011012
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 11.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.11.2003    
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), C03C 15/00 (2006.01), C03C 17/30 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : SUPERCRITICAL SYSTEMS INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 85223 (US)
Inventeurs : SCHILLING, Paul; (US)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP, 162 N. Wolfe Road, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Données relatives à la priorité :
60/372,822 12.04.2002 US
Titre (EN) METHOD OF TREATMENT OF POROUS DIELECTRIC FILMS TO REDUCE DAMAGE DURING CLEANING
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE PELLICULES DIELECTRIQUES POREUSES SERVANT A REDUIRE LES DOMMAGES LORS DU NETTOYAGE
Abrégé : front page image
(EN)A device, method, and system for treating low-k dielectric material films to reduce damage during microelectronic component cleaning processes is disclosed. The current invention cleans porous low-k dielectric material films in a highly selectivity with minimal dielectric material damage by first treating microelectronic components to a passivating process followed by a cleaning solution process.
(FR)Cette invention porte sur un dispositif, un procédé et un système de traitement de pellicules de matériau diélectrique à faible constante k permettant de réduire les dommages lors des procédés de nettoyage du composant micro-électronique. Selon cette invention, les pellicules poreuses de matériau diélectrique à faible constante k sont nettoyées avec une sélectivité élevée et un minimum de dommage pour le matériau diélectrique au moyen d'un procédé consistant à soumettre les composants micro-électroniques à un traitement de passivation puis à un procédé de nettoyage par solution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)