WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003087903) DISPOSITIF POUR PROVOQUER DE FAÇON CIBLEE DES RESONANCES DE DEFAUTS DANS DES CRISTAUX PHOTONIQUES BIDIMENSIONNELS ET TRIDIMENSIONNELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/087903    N° de la demande internationale :    PCT/DE2003/000979
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
CIB :
G02B 6/122 (2006.01), H01P 5/08 (2006.01), H01P 7/10 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse 52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
KLEIN, Norbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHUSTER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PARKOT, Daniel [PL/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KLEIN, Norbert; (DE).
SCHUSTER, Michael; (DE).
PARKOT, Daniel; (DE)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente 52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
102 16 790.7 15.04.2002 DE
Titre (DE) ANORDNUNG ZUR GEZIELTEN ANREGUNG VON DEFEKTRESONANZEN IN ZWEI- UND DREIDIMENSIONALEN PHOTONISCHEN KRISTALLEN
(EN) ARRANGEMENT FOR THE TARGETED EXCITATION OF DEFECT RESONANCES IN TWO AND THREE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTALS
(FR) DISPOSITIF POUR PROVOQUER DE FAÇON CIBLEE DES RESONANCES DE DEFAUTS DANS DES CRISTAUX PHOTONIQUES BIDIMENSIONNELS ET TRIDIMENSIONNELS
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem metallischen Abschirmgehäuse (1) mit einer oder mehreren Hohlleiterankopplungen (2) wird zur Bildung einer Anordnung zur gezielten Anregung von Defektresonanzen in zwei- und dreidimensionalen photonischen Kristallen, eine Hohlleiterwelle an bestimmte Typen von Defektwellenleitern innerhalb einer im Abschirmgehäuse angeordneten photonischen Kristallstruktur in einem vorgegebenen Frequenzinterval nahezu reflektionsfrei angekoppelt. Es kann dabei vorteilhaft sein, eine Defektresonanz innerhalb der photonischen Kristallstruktur mit definierter Koppelstärke anzuregen. Der photonische Kristall kann lithographisch hergestellt sein.
(EN)According to the invention, in a metallic shielded housing (1) comprising one or more wave guide couplings (2), a wave guide wave is coupled to certain types of defect wave guides within a photonic crystalline structure arranged in the shielded housing, at a predetermined interval frequency and in a manner which is almost free from reflection in order to form an arrangement for targeted excitation of defect resonance in two and three-dimensional photonic crystals. It can thus advantageous to excite a defect resonance inside the photonic crystal structure having a defined coupling strength. The photonic crystal can be produced lithographically.
(FR)Selon l'invention, dans un boîtier de blindage métallique (1) comportant au moins un couplage de guides d'ondes (2), pour former un dispositif servant à provoquer de façon ciblée des résonances de défauts dans des cristaux photoniques bidimensionnels et tridimensionnels, une onde de guide d'ondes est couplée à certains types de guides d'ondes défectueux à l'intérieur d'une structure cristalline photonique disposée dans le boîtier de blindage, cela dans un intervalle de fréquence prédéterminé et presque sans réflexion. Il peut être alors avantageux de provoquer une résonance de défauts à l'intérieur de la structure cristalline photonique avec une intensité de couplage définie. Le cristal photonique peut être réalisé par lithographie.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)