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1. (WO2003087747) CAPTEUR DE FORCE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/087747    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004714
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 14.04.2003
CIB :
G01L 1/18 (2006.01)
Déposants : HOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD. [JP/JP]; 3158, Shimo-okubo, Osawano-machi, Kami-niikawagun, Toyama 939-2292 (JP) (Tous Sauf US).
HIROSE, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAWAMURA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANDO, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOTOKI, Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIROSE, Shigeru; (JP).
SAWAMURA, Hiroyuki; (JP).
ANDO, Masato; (JP).
MOTOKI, Yoshimitsu; (JP)
Mandataire : NISHIURA, Tsuguharu; NISHIURA & ASSOCIATES, Toranomon 34 MT Building 9F, 25-5, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-111396 12.04.2002 JP
2002-305186 18.10.2002 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR FORCE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE FORCE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor force sensor capable of preventing a diaphragm part (37) from being broken and accurately measuring a force applied thereto in a direction orthogonal to the diaphragm part (37), wherein a force transmitting means for applying a measured force to the diaphragm part (37) of a semiconductor force sensor element (31) is formed of a sphere (33) having a rigidity, and a through hole (63) passing through an opposed wall part (55) toward the diaphragm (37) is formed in the opposed wall parts (55) at a position opposed to the center part of the diaphragm part (37) so that a part of the sphere (33) can face the outside of the opposed wall part (55) and stores a part of the remaining part of the sphere (33) to allow the sphere (33) to be moved only in a direction orthogonal to the diaphragm part (37) and rotated on the center part of the diaphragm part (37).
(FR)L'invention concerne un capteur de force à semi-conducteur comportant une partie diaphragme (37) résistant à la rupture, et permettant de mesurer de manière précise une force appliquée sur le capteur dans une direction orthogonale au diaphragme (37). Des moyens de transmission de force permettant d'appliquer la force à mesurer sur la partie diaphragme d'un élément (31) capteur de force à semi-conducteur comprennent une sphère (33) présentant une rigidité donnée, et une ouverture (63) traversante passant à travers une partie paroi opposée (55) à la sphère en direction du diaphragme (37) est formée à travers les parois opposées (55), à une position située en face de la partie centrale du diaphragme (37), de telle sorte qu'une partie de la sphère (33) émerge de la paroi opposée (55) et que cette dernière entoure une zone de la partie restante de la sphère (33) afin de permettre à la sphère (33) de se déplacer uniquement dans la direction orthogonale au diaphragme (37), et de subir une rotation sur la partie centrale du diaphragme (37).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)