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1. (WO2003087744) PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURE DE MATERIAU DE BASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/087744    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004792
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 15.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.09.2003    
CIB :
G01J 5/00 (2006.01), G01K 11/12 (2006.01)
Déposants : ITO, Masafumi [JP/JP]; (JP).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMURA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIINA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHII, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ITO, Masafumi; (JP).
OKAMURA, Yasuyuki; (JP).
SHIINA, Tatsuo; (JP).
ISHII, Nobuo; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Takashi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-112733 15.04.2002 JP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR MEASURING TEMPERATURE OF BASE MATERIAL
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPERATURE DE MATERIAU DE BASE
Abrégé : front page image
(EN)A method and a device for measuring the temperature of a base material and an electronic device base material processing device, the method comprising the steps of radiating light on the front or rear surface of the base material to be temperature-measured and measuring the interference of reflected light from the base material with reference light, whereby the temperature of the base material on the uppermost surface layer and/or the inside thereof can be directly measured.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de température de matériau de base et un dispositif de traitement de matériau de base de dispositif électronique. Ce procédé consiste à irradier de la lumière sur la surface avant et arrière du matériau de base dont la température doit être mesurée et à mesurer l'interférence de la lumière réfléchie par ce matériau de base avec la lumière de référence, la température du matériau de base sur la couche la plus supérieure et/ou à l'intérieure de celle-ci pouvant ainsi être directement mesurée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)