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1. (WO2003087719) CAPTEUR D'INCLINAISON, PROCEDE DE FABRICATION DE CE CAPTEUR D'INCLINAISON ET PROCEDE PERMETTANT DE MESURER L'INCLINAISON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/087719    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004235
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 02.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.04.2003    
CIB :
G01C 9/06 (2006.01), G01C 9/12 (2006.01)
Déposants : ASAHI KASEI EMD CORPORATION [JP/JP]; 23-7, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP) (Tous Sauf US).
HIKIDA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASHITA, Masaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAYAMA, Yuuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUMOTO, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIKIDA, Koichi; (JP).
YAMASHITA, Masaya; (JP).
KANAYAMA, Yuuichi; (JP).
FUKUMOTO, Hirofumi; (JP)
Mandataire : MORI, Tetsuya; Nichiei Kokusai Tokkyo Jimusho, Yusen Iwamotocho Bldg. 8th Floor, 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-99855 02.04.2002 JP
2002-214258 23.07.2002 JP
Titre (EN) INCLINATION SENSOR, METHOD OF MANUFACTURING INCLINATION SENSOR, AND METHOD OF MEASURING INCLINATION
(FR) CAPTEUR D'INCLINAISON, PROCEDE DE FABRICATION DE CE CAPTEUR D'INCLINAISON ET PROCEDE PERMETTANT DE MESURER L'INCLINAISON
Abrégé : front page image
(EN)An inclination sensor capable of measuring an inclination by utilizing piezo electric effect without selectively etching a substrate having piezoresistances formed therein, wherein the rear surface of the silicon substrate (1) having piezoresistances (R1) to (R4) formed therein is uniformly ground to a deformable thickness, both ends of the silicon substrate (1) are supported by a support member (2), and a weight member (3) is installed at the center of the silicon substrate (1) through a projected part (3a).
(FR)L'invention concerne un capteur d'inclinaison capable de mesurer l'inclinaison à l'aide d'un effet piézo-électrique sans graver de manière sélective un substrat dans lequel sont formées des piézorésistances. Dans ce capteur, la surface arrière du substrat de silicium (1) dans laquelle sont formées des piézorésistances (R1) à (R4) est uniformément meulée jusqu'à une épaisseur déformable, les deux extrémités du substrat de silicium (1) sont supportées par un élément de support (2), et un élément poids (3) est placé au centre du substrat de silicium (1) à travers une partie en saillie (3a).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)