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1. (WO2003086706) PROCEDE DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/086706    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004894
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 17.04.2003
CIB :
B24B 37/005 (2012.01), B24B 37/30 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 144-8510 (JP) (Tous Sauf US).
TOGAWA, Tetsuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUSHIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Kunihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NABEYA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHIMURA, Teruhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOGAWA, Tetsuji; (JP).
FUKUSHIMA, Makoto; (JP).
SAKURAI, Kunihiko; (JP).
YOSHIDA, Hiroshi; (JP).
NABEYA, Osamu; (JP).
ICHIMURA, Teruhiko; (JP)
Mandataire : WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F 5-8, Nishi-Shinjuku 7-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-116721 18.04.2002 JP
Titre (EN) POLISHING METHOD
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE
Abrégé : front page image
(EN)A polishing method where a semiconductor wafer (W) is held by a top ring (23), pressed against a polishing surface (10) and polished. An elastic diaphragm (60) is installed on the lower face of an vertical moving member (62) so as to define a pressure chamber (70) in the top ring (23). A pressurized fluid is supplied to the pressure chamber (70) in order that the semiconductor wafer (W) is pressed against the polishing surface (10) by the fluid pressure of the fluid and polished. The pressurized fluid is jetted from an opening (62a) formed at the center of the vertical moving member (62) in order to separate the polished semiconductor wafer (W) from the top ring (23).
(FR)Cette invention concerne un procédé de polissage dans lequel une tranche de semi-conducteur (W) est maintenue par une bague supérieure (23), plaquée contre une surface de polissage (90) et polie. Une membrane élastique (60) est disposée sur le bord inférieur d'un élément vertical mobile (62), ce qui définit une chambre de pression (70) dans la bague supérieure (23). Un fluide sous pression va alimenter la chambre de pression (70), la tranche de semi-conducteur (W) étant plaquée par la pression du fluide contre la surface de polissage (90) et polie. Le liquide sous pression qui . jaillit d'une ouverture (62a) formée au centre de l'élément vertical mobile (62) sépare la tranche de semi-conducteur polie (W) de la bague supérieure (23).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)