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1. (WO2003086668) NETTOYAGE CRYOGENIQUE ASSISTE PAR FLUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/086668    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010354
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 03.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.11.2003    
CIB :
B08B 3/04 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), B24C 1/00 (2006.01), C23G 5/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BOC, INC. [US/US]; 575 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US) (Tous Sauf US).
BANERJEE, Souvik [US/US]; (US) (US Seulement).
CHUNG, Harlan, Forrest [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BANERJEE, Souvik; (US).
CHUNG, Harlan, Forrest; (US)
Mandataire : COHEN, Joshua, L.; The BOC Group, Inc., Patent, Trademark & Licensing Department, 100 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US)
Données relatives à la priorité :
60/369,852 05.04.2002 US
60/369,853 05.04.2002 US
10,324,221 19.12.2002 US
10/403,147 31.03.2003 US
Titre (EN) FLUID ASSISTED CRYOGENIC CLEANING
(FR) NETTOYAGE CRYOGENIQUE ASSISTE PAR FLUIDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to fluid assisted cryogenic cleaning of a substrate surface requiring precision cleaning such as semiconductors, metals, and dielectric films. The process comprises the steps of applying a fluid selected from the group consisting of high vapor pressure liquids, reactive gases, and vapors of reactive liquids onto the substrate surface followed by or simultaneously with cryogenic cleaning of the substrate surface to remove contaminants.
(FR)L'invention concerne le nettoyage cryogénique assisté par fluide d'une surface de substrat exigeant un nettoyage de précision telle que semi-conducteurs, métaux et films diélectriques. Le procédé de nettoyage de cette invention comporte l'application d'un fluide choisi dans le groupe comprenant des liquides à pression de vapeur élevée, des gaz réactifs, et des vapeurs de liquides réactifs sur la surface de substrat, suivie du nettoyage cryogénique ou accompagnée du nettoyage cryogénique simultané de cette surface de substrat pour éliminer des contaminants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)