WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003085790) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085790    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003761
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 26.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.09.2003    
CIB :
H01S 5/20 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
TANEYA, Mototaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASAKI, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANEYA, Mototaka; (JP).
YAMASAKI, Yukio; (JP).
ITO, Shigetoshi; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg., 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002/102225 04.04.2002 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser device is characterized in that a waveguide is provided in a multilayer structure including, on a substrate (101) transparent to the laser beam and having an index of refraction ns, a first clad layer (103) having an index of refraction nc1, a second clad layer (104) having an index of refraction nc2, a third clad layer (105) having in index of refraction nc3, a first-conductivity-type guide layer (106) having an index of refraction ng, a quantum well active layer (107), a second-conductivity-type guide layer (109), a second-conductivity-type clad layer (110), and a second-conductivity-type contact layer (111), and that the effective index of refraction of the waveguide is ne, and the relation nc2<(nc1, nc3)<ne<(ns, ng) is satisfied.
(FR)L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur, qui se caractérise en ce qu'un guide d'ondes est prévu dans une structure multicouche et comprend, sur un substrat (101) transparent au faisceau laser et à indice de réfraction ncs, une première couche de gainage (103) à indice de réfraction nc1, une deuxième couche de gainage (104) à indice de réfraction nc2, une troisième couche de gainage (105) à indice de réfraction nc3, une couche-guide d'un premier type de conductivité (106) à indice de réfraction ng, une couche à activité de puits quantique (107), une couche-guide d'un second type de conductivité (109), une couche de gainage d'un second type de conductivité (110) et une couche de contact d'un second type de conductivité (111). Ledit dispositif se caractérise également en ce que l'indice de réfraction effectif du guide d'ondes est ne, et en ce que la relation nc2<(nc1, nc3)<ne<(ns, ng) est satisfaite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)