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1. (WO2003085788) APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT D'AMELIORER UNE STRUCTURE CONDUCTRICE D'UN LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085788    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009915
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 01.04.2003
CIB :
H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : AXT, INC. [US/US]; 4281 Technology Drive, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Xiaobo [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Xiaobo; (US)
Mandataire : EDWARDS, Jean, C.; Sonnenschein Nath & Rosenthal, P.O. Box 061080, Wacker Drive Station, Chicago, IL 60606-1080 (US)
Données relatives à la priorité :
10/113,487 01.04.2002 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVING ELECTRICAL CONDUCTION STRUCTURE OF A VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
(FR) APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT D'AMELIORER UNE STRUCTURE CONDUCTRICE D'UN LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A heavily doped semiconductor layer (280) is formed over the barrel of a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) (200), providing current conduction and current spreading across and into the aperture of a laser barrel, while eliminating the need for a light-obstructing conductive electrical contact overhang. The VCSEL (200) comprises a substrate (220), a first distributed Bragg reflector (DBR) (230), an active region (240), a second DBR (250) having a non-conductive ion implantation region (255) and a laser barrel region with a first diameter (260), the heavily doped semiconductor layer (280), and a conductive electrical contact (215). The conductive electrical contact defines an opening with a second diameter (265) that is greater than the first diameter (260).
(FR)L'invention concerne une couche semi-conductrice fortement dopée formée sur la structure cylindrique du laser à cavité verticale et à émission par la surface (VCSEL). Cette couche semi-conductrice permet de conduire le courant et de le diffuser à travers et dans l'ouverture d'une structure cylindrique de laser, tout en éliminant la nécessité de surplomb du contact électrique conducteur obstructeur de la lumière. Le laser à cavité verticale et à émission par la surface comprend un substrat, un premier réflecteur Bragg réparti (DBR), une région active, un second réflecteur Bragg réparti présentant un zone d'implantation d'ions non conductrice et une région de structure cylindrique de laser présentant un premier diamètre, la couche semicondutrice fortement dopée, et un contact électrique conducteur. Le contact électrique conducteur définit une ouverture présentant un second diamètre supérieur au premier diamètre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)