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1. (WO2003085744) TRANSISTORS SOI A GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085744    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010266
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 03.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.10.2003    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventeurs : LIU, Michael, S.; (US).
FECHNER, Paul, S.; (US).
REKSTAD, Jane, Kathleen; (US).
SINHA, Shankar, P.; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, P.O.Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
10/116,295 04.04.2002 US
Titre (EN) HIGH SPEED SOI TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS SOI A GRANDE VITESSE
Abrégé : front page image
(EN)An SOI GAA device is created by etching a buried oxide layer of an SOI wafer structure that is provided over a silicon substrate. A portion of the buried oxide layer remains over the silicon substrate after etching. A plurality of silicon fingers is formed so that the silicon fingers extend over the remaining buried oxide layer. A gate oxide is formed all around each of the silicon fingers, and a common silicon gate is formed all around all of the gate oxides. A common source and a common drain are formed by suitably doping opposite ends of the silicon fingers leaving a channel therebetween.
(FR)La présente invention concerne un dispositif SOI GAA que l'on crée en gravant une couche d'oxyde enterrée d'une structure de tranche SOI placée sur un substrat en silicium. Une partie de la couche d'oxyde enterrée reste sur le substrat en silicium après la gravure. On forme une pluralité de doigts de silicium de façon qu'ils s'étendent par-dessus la couche d'oxyde enterrée restante. On forme un oxyde de grille tout autour de chacun des doigts de silicium, et on forme une grille de silicium commune autour de tous les oxydes de grille. On forme une source commune et un drain commun en dopant de manière adéquate les extrémités opposées des doigts de silicium, en laissant un canal entre elles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)