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1. (WO2003085728) SUPPORT, PROCEDE DE FABRICATION, ET APPAREIL ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085728    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/001299
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 10.04.2003
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H05K 1/18 (2006.01), H05K 3/06 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
GROENHUIS, Roelf, A., J. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DIJKSTRA, Paul [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SCHRIKS, Cornelis, G. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DE WATER, Peter, W., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : GROENHUIS, Roelf, A., J.; (NL).
DIJKSTRA, Paul; (NL).
SCHRIKS, Cornelis, G.; (NL).
VAN DE WATER, Peter, W., M.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
02076426.2 11.04.2002 EP
02079544.9 30.10.2002 EP
Titre (EN) CARRIER, METHOD OF MANUFACTURING A CARRIER AND AN ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUPPORT, PROCEDE DE FABRICATION, ET APPAREIL ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The carrier (30) comprises a first etch mask (14), a first metal layer (11), an intermediate layer (12), a second metal layer (13) and a second etch mask (17). Both the first and the second etch mask (14, 17) can be provided in one step by means of electrochemical plating. After the first metal layer (11) and the intermediate layer (12) have been patterned through the first etch mask (14), an electric element (20) can be suitably attached to the carrier (30) using conductive means. In this patterning operation, the intermediate layer (12) is etched further so as to create underetching below the first metal layer (11). After the provision of an encapsulation (40), the second metal layer (13) is patterned through the second etch mask (17). In this manner, a solderable device (10) is obtained without a photolithographic step during the assembly process.
(FR)Ce support (30) se compose d'un premier masque d'attaque (14), d'une première couche métallique (11), d'une couche intermédiaire (12), d'une seconde couche métallique (13) et d'un second masque d'attaque (17). Il est possible de produire les deux masques d'attaque (14, 17) en une seule opération, par dépôt électrolytique. La première couche métallique (11) et la couche intermédiaire (12) sont ensuite configurées à travers le premier masque (14), un élément électrique (20) pouvant être convenablement fixé au support (30) au moyen d'un dispositif conducteur. On attaque une nouvelle fois, lors de l'opération de configuration susmentionnée, la couche intermédiaire (12), afin de créer une configuration de sous-attaque en dessous de la première couche métallique (11). Après encapsulation (40), on configure la seconde couche métallique (13) à travers le second masque (17). Il est, de la sorte, possible d'obtenir un appareil (10) pouvant être soudé sans photolithographie au moment de l'assemblage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)