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1. (WO2003085724) ARCHITECTURE DE MASQUAGE TRICOUCHE POUR LA FORMATION DE MOTIFS SUR DES INTERCONNEXIONS A DOUBLE DAMASQUINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085724    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009700
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.2003    
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Washington Street, 1790 Building, Midland, MI 48674 (US) (Tous Sauf US).
TOWNSEND, Paul, H., III [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLS, Lynne, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
WAETERLOOS, Joost, J., M. [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
STRITTMATTER, Richard, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TOWNSEND, Paul, H., III; (US).
MILLS, Lynne, K.; (US).
WAETERLOOS, Joost, J., M.; (BE).
STRITTMATTER, Richard, J.; (US)
Mandataire : ZERULL, Susan, Moeller; The Dow Chemical Company, Intellectual Property, P.O. Box 1967, Midland, MI 48641-1967 (US)
Données relatives à la priorité :
60/369,489 02.04.2002 US
60/369,490 02.04.2002 US
Titre (EN) TRI-LAYER MASKING ARCHITECTURE FOR PATTERNING DUAL DAMASCENE INTERCONNECTS
(FR) ARCHITECTURE DE MASQUAGE TRICOUCHE POUR LA FORMATION DE MOTIFS SUR DES INTERCONNEXIONS A DOUBLE DAMASQUINAGE
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a method of dual damascene integration for copper based wiring in a low-k dielectric stack (120, 130, 140) using three top hard mask layers (150, 160, 170) having alternating etch selectivity characteristics, and being, for example, inorganic/organic/inorganic.
(FR)L'invention concerne un procédé d'intégration de double damasquinage pour un câblage à base de cuivre dans un empilement à faible constante diélectrique (120, 130, 140). Ce procédé met en oeuvre trois couches supérieures rigides de masquage (150, 160, 170) qui présentent des caractéristiques de sélectivité de gravure alternantes, par exemple, inorganique/organique/inorganique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)