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1. (WO2003085722) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP PRESENTANT UNE STRUCTURE DE DEPLETION LATERALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085722    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/010008
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 29.03.2002
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, ME 04106 (US)
Inventeurs : MARCHANT, Bruce, D.; (US)
Mandataire : JEWIK, Patrick, R.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, Eighth Floor, San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A LATERAL DEPLETION STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP PRESENTANT UNE STRUCTURE DE DEPLETION LATERALE
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor device and a method for making a field effect transistor device are disclosed. The field effect transistor device includes a stripe trench extending from the major surface of a semiconductor substrate (29) into the semiconductor substrate (29) to a predetermined depth. The stripe trench (35) contains a semiconductor material of the second conductivity type to form a PN junction at an interface formed with the semiconductor substrate (29).
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ et un procédé de production associé. Ce transistor à effet de champ comprend une tranchée formant une bande qui s'étend depuis la surface principale d'un substrat semi-conducteur dans celui-ci jusqu'à une profondeur prédéterminée. La tranchée formant une bande contient un matériau semi-conducteur d'un second type de conductivité afin que soit formée une jonction PN au niveau d'une interface formée avec le substrat semi-conducteur.
États désignés : CN, DE, JP.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)