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1. (WO2003085713) PLACAGE HOMOGENE D'ALLIAGE DE CUIVRE ET D'ETAIN POUR L'AMELIORATION DE LA RESISTANCE D'ELECTROMIGRATION DANS DES INTERCONNEXIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085713    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002224
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 24.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2003    
CIB :
C25D 3/58 (2006.01), C25D 5/50 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : PADHI, Deenesh; (US).
RAMANATHAN, Sivakami; (US).
MCGUIRK, Chris, R.; (US).
GANDIKOTA, Srinivas; (US).
DIXIT, Girish; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/370,512 03.04.2002 US
Titre (EN) HOMOGENEOUS COPPER-TIN ALLOY PLATING FOR ENHANCEMENT OF ELECTRO-MIGRATION RESISTANCE IN INTERCONNECTS
(FR) PLACAGE HOMOGENE D'ALLIAGE DE CUIVRE ET D'ETAIN POUR L'AMELIORATION DE LA RESISTANCE D'ELECTROMIGRATION DANS DES INTERCONNEXIONS
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention may generally provide a method for plating a homogenous copper tin alloy onto a semiconductor substrate. The method generally includes providing a plating solution to a plating cell, wherein the plating solution contains an acid, a copper ion source, and a tin ion source, the copper ion source including up to about 98.5% of the metal ions and the tin ions including up to about 1.5% of the metal ions, providing a plating bias to a conductive layer formed on the semiconductor substrate while the conductive layer is in fluid contact with the plating solution, the plating bias being configured to overlap a plating potential range of both copper and tin, and simultaneously plating copper and tin ions onto the conductive layer from the plating solution to form a homogenous copper tin alloy layer on the conductive layer.
(FR)L'invention concerne généralement, dans des modes de réalisation, un procédé de placage homogène d'un alliage de cuivre et d'étain sur un substrat semi-conducteur. Ce procédé consiste généralement à placer une solution de placage dans une cellule de dépôt, la solution de placage contenant un acide, une source de cuivre ionique, et une source étain ionique, la source de cuivre ionique constituant environ 98,5 % des ions métalliques et les ions étain constituant jusqu'à 1,5 % environ des ions métalliques, à mettre en oeuvre une polarisation de placage sur une couche conductrice formée sur le substrat semi-conducteur alors que la couche conductrice est en contact avec la solution de placage, la polarisation de placage étant déterminée de façon à couvrir à la fois les domaines de placage du cuivre et de l'étain, et à déposer simultanément par placage, à partir de la solution de placage, des ions cuivre et étain sur la couche conductrice afin de former une couche homogène d'alliage de cuivre et d'étain sur la couche conductrice.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)