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1. (WO2003085711) PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR POUR SEMICONDUCTEUR A COMPOSES III-V CONTENANT DE L'AL, ET PROCEDE ET DISPOSITIF DESTINES A LA PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR A COMPOSES III-V CONTENANT DE L'AL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085711    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004408
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 07.04.2003
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Déposants : TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO.,LTD. [JP/JP]; 24-16 Naka-cho 2-chome, Koganei-shi, Tokyo 184-8588 (JP) (Tous Sauf US).
KOUKITSU, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MARUI, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOUKITSU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
MARUI, Tomohiro; (JP)
Mandataire : ITO, Mitsuru; 6th floor, Yotsuya Chuou Building, 2-17, Yotsuya 3-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-106102 09.04.2002 JP
Titre (EN) VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR Al-CONTAINING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING Al-CONTAINING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR POUR SEMICONDUCTEUR A COMPOSES III-V CONTENANT DE L'AL, ET PROCEDE ET DISPOSITIF DESTINES A LA PRODUCTION D'UN SEMICONDUCTEUR A COMPOSES III-V CONTENANT DE L'AL
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a crystal of an Al-containing III-V group compound semiconductor by the conventional HVPE method, characterized in that it comprises a step of reacting Al with hydrogen halide at a temperature of 700˚C or lower to form a halide of Al. The method has allowed the suppression of the formation of aluminum chloride (AlCl) or aluminum bromide (AlBr) reacting violently with quartz, which is the material of a reaction vessel for the growth, resulting in the achievement of the vapor phase growth of an Al-containing III-V group compound semiconductor at a rate of 100 microns/hr or more, which has lead to the mass-production of a substrate and a semiconductor element having satisfactory resistance to adverse environment.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant la croissance d'un cristal de semiconducteur à composés III-V contenant de l'Al selon le procédé HVPE classique, caractérisé en ce qu'il comprend une étape au cours de laquelle on met à réagir de l'Al avec un halogénure d'hydrogène à une température inférieure ou égale à 700 °C afin de former un halogénure d'Al. Le procédé de l'invention permet de supprimer la formation de chlorure d'aluminium (AlCl) ou de bromure d'aluminium (AlBr) qui réagissent violemment avec le quartz qui est le matériau de la cuve de réaction utilisée pour la croissance, et d'obtenir la croissance en phase vapeur d'un semiconducteur à composés III-V contenant de l'Al à une vitesse supérieure ou égale à 100 microns par heure, autorisant par conséquent la production massive d'un substrat et d'un élément semiconducteur dotés d'une résistance satisfaisante à un environnement nuisible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)