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1. (WO2003085708) PROCEDE D'EXPOSITION, DISPOSITIF D'EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085708    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004515
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 09.04.2003
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
NAGASAKA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AOKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGASAKA, Hiroyuki; (JP).
AOKI, Takashi; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; Shiga International Patent Office, 2-3-1 Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-106783 09.04.2002 JP
Titre (EN) EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE D'EXPOSITION, DISPOSITIF D'EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A substrate (W) serves as a part of a partition wall and an injection end side of a shot optical system (PL) is filled with a penetrating gas penetrating an energy beam (IL). When the substrate (W) is moved or exchanged, in order to maintain the gas state at the injection end side of the shot optical system (PL), an object (70) is arranged at the injection end side of the shot optical system (PL) instead of the substrate (W). Thus, it is possible to properly exclude light absorbing substance from the injection end side of the shot optical system and maintain the gas state even when the substrate is moved or exchanged.
(FR)L'invention concerne un substrat (W) tenant lieu de partie d'une cloison de séparation et un côté d'extrémité d'injection d'un système optique de prise de vues (PL) rempli avec un gaz de pénétration pénétrant un faisceau énergique (IL). Lorsque le substrat (W) est déplacé ou modifié, afin de maintenir l'état gazeux au niveau du côté d'extrémité d'injection du système optique de prise de vues (PL), un objet (70) est disposé au niveau du côté d'extrémité d'injection du système optique de prise de vues (PL) en remplacement du substrat (W). Par conséquent, il est possible d'exclure correctement la substance d'absorption de lumière du côté d'extrémité d'injection du système optique de prise de vues et de maintenir l'état gazeux même lorsque le substrat est déplacé ou modifié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)