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1. (WO2003085318) MATRICE DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085318    N° de la demande internationale :    PCT/FR2002/000865
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 11.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.10.2003    
CIB :
F21K 99/00 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01)
Déposants : DECAUDIN, Jean-Michel [FR/FR]; (FR).
DURET, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LEQUIME, Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DECAUDIN, Jean-Michel; (FR).
DURET, François; (FR).
LEQUIME, Michel; (FR)
Mandataire : RHEIN, Alain; Cabinet Brev & Sud, 2460, avenue Albert Einstein, F-34000 Montpellier (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE MATRIX AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) MATRICE DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a light-emitting diode matrix device for obtaining high light intensity as well as peak luminance, and the method for making same. Thus, said array comprises light-emitting diodes (2) incorporated in packaging housings (1) made of moulded resin whereof the planar upper surface (5), forming an optical output window (6), receives a bonded hemispherical glass or plastic lens (11), with identical or substantially identical index to that of the resin, such that said window (6) is located at a specific distance from the emitting surface of the semiconductor component (2) so that said emitting surface is proximate to the object Weierstrass point of the spherical diopter thus formed by said hemispherical lens (11). More particularly, the light-emitting diode housings (1) are soldered by surface-mounted component process, on an electronically powered support card (9) and the free space between said housings (1) is coated with a jointing paste.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de matrice de diodes électroluminescentes permettant d'obtenir une puissance lumineuse importante en même temps qu'une luminance maximale, ainsi que son procédé de fabrication. Ainsi, ce dispositif de matrice comporte de diodes électroluminescentes (2) intégrées dans des boîtiers de conditionnement (1) en résine moulée dont la face supérieure (5) plane, formant la fenêtre de sortie optique (6), reçoit par collage une lentille hémisphérique (11) de verre ou de matière plastique, d'indice identique ou proche de celui de ladite résine, ceci de manière que ladite fenêtre (6) se trouve à une distance déterminée de la surface d'émission du composant semi-conducteur (2) en sorte que cette surface d'émission se trouve au voisinage du point de WEIERSTRASS objet du dioptre sphérique ainsi constitué par ladite lentille hémisphérique (11). Tout particulièrement, les boîtiers (1) de diode électroluminescente sont soudés, notamment par procédé CMS (composants montés en surface), sur une carte d'alimentation électronique support (9) et l'espace libre entre ces boîtiers (1) est enduite d'une pâte de jonction (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)