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1. (WO2003085037) FILMS DE POLYMERES STABILISES CHIMIQUEMENT ET ELECTRIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085037    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010023
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 02.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2003    
CIB :
B05D 3/02 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01), B29C 71/02 (2006.01), C08G 61/02 (2006.01), C08J 5/18 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : DIELECTRIC SYSTEMS, INC. [US/US]; 45500 Northport Loop West, Fremont, CA 94538 (US)
Inventeurs : LEE, Chung, J.; (US).
KUMAR, Atul; (US)
Mandataire : HALL, M., Matthews; Kolisch Hartwell, P.C., 200 Pacific Building, 520 S.W. Yamhill Street, Portland, OR 9720480 (US)
Données relatives à la priorité :
10/116,724 04.04.2002 US
Titre (EN) CHEMICALLY AND ELECTRICALLY STABILIZED POLYMER FILMS BACKGROUND
(FR) FILMS DE POLYMERES STABILISES CHIMIQUEMENT ET ELECTRIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Preparation methods and stabilization processes for low K polymers that consist of sp2C-X and HC-sp2C&agr;-X bonds. A preparation method is achieved by controlling the substrate temperature and feed rate of the polymer precursors. One stabilization process includes a post annealing of as-deposited polymer films under the presence of hydrogen under high temperatures. The reductive annealing of these films is conducted at temperatures from -20°C to -50°C to +20°C to +50°C of their Reversible Crystal Transformation (“CRT”) temperatures, then quenching the resulting films to -20°C to -50°C below their “CRT” temperatures. The reductive annealing is conducted before the as-deposited film was removed from a deposition system and still under the vacuum. “Restabilization” processes of polymer surfaces that are exposed to reactive plasma etching are also disclosed; thus, further coating by barrier metal, cap layer or etch-stop layer can be safely applied.
(FR)L'invention porte sur des procédés de préparation et des processus de stabilisation de polymères à bas K consistant en liaisons sp2C-X et HC-sp2C?-X. l'un des procédés de préparation consiste à réguler la température du substrat et du débit d'apport des précurseurs du polymère. L'un des processus de stabilisation consiste en un post-recuit de films de polymère à l'état brut de dépôt en présence d'hydrogène et à haute température. Le recuit réducteur de ces films se fait à des températures allant de -20 °C à -50 °C jusqu'à +20 °C à +50 °C de leur température de transformation réversible des cristaux ( CRT ), puis à tremper les films résultants à des températures de -20 °C à -50 °C inférieures à celles de leur CRT . Le recuit réducteur se fait avant le retrait du film à l'état brut de dépôt du système de dépôt et encore sous vide. L'invention porte également sur un procédé de restabilisation de la surface des polymères exposée à la morsure réactive du plasma permettant l'application sûre d'autres revêtements tels que des barrières métalliques, des couches d'encapsulation, ou de limite
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)