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1. (WO2003084969) COMPOSITIONS DE REACTIFS SOURCES AU SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION ET D'UTILISATION DE CES DERNIERES POUR UNE STRUCTURE DE DISPOSITIF MICRO-ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/084969    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009270
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 27.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2003    
CIB :
C07F 7/02 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; MARGARET CHAPPUIS, ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Inventeurs : BOROVIK, Alexander, S.; (US).
WANG, Ziyun; (US).
XU, Chongying; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US).
BENAC, Brian, L.; (US)
Mandataire : CHAPPUIS, Margaret; Margaret Chappuis, 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
10/112,517 29.03.2002 US
Titre (EN) SILICON SOURCE REAGENT COMPOSITIONS, AND METHOD OF MAKING AND USING SAME FOR MICROELECTRONIC DEVICE STRUCTURE
(FR) COMPOSITIONS DE REACTIFS SOURCES AU SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION ET D'UTILISATION DE CES DERNIERES POUR UNE STRUCTURE DE DISPOSITIF MICRO-ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of synthesizing an aminosilane source reagent composition, by reacting an aminosilane precursor compound with an amine source reagent compound in a solvent medium comprising at least one activating solvent component, to yield an aminosilane source reagent composition having less than 1000 ppm halogen.
(FR)La présente invention concerne un procédé de synthèse d'une composition de réactif source au silicium qui consiste à faire réagir un composé de précurseur aminosilane avec un composé de réactif source amine, dans un milieu de solvant comprenant au moins un constituant de solvant activateur, pour produire une composition de réactif source aminosilane contenant moins de 1000 ppm d'halogène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)