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1. (WO2003084010) VCSEL DOTE D'UNE COUCHE DE CONFINEMENT DE COURANT ANTIGUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/084010    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009835
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
CIB :
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : APPLIED OPTOELECTRONICS, INC. [US/US]; 13111 Jess Pirtle Blvd. Sugar Land, TX 77478 (US)
Inventeurs : HWANG, Wen-Yen; (US).
ANSELM, Klaus, Alexander; (US).
ZHENG, Jun; (US)
Mandataire : KINSELLA, Stephan, N.; General Counsel & Vice President-Intellectual Property Applied Optoelectronics, Inc. 13111 Jess Pirtle Blvd. Sugar Land, TX 77478 (US)
Données relatives à la priorité :
10/109,288 28.03.2002 US
Titre (EN) VCSEL WITH ANTIGUIDE CURRENT CONFINEMENT LAYER
(FR) VCSEL DOTE D'UNE COUCHE DE CONFINEMENT DE COURANT ANTIGUIDE
Abrégé : front page image
(EN)A surface-emitting laser, such as a VCSEL (100), for generating single-transverse mode laser light at a lasing wavelength, has a first mirror (121) and a second mirror (148) positioned so as to define a laser cavity therebetween, and a semiconductor active region (141) disposed between the first and second mirrors (121, 148) for amplifying, by stimulated emission, light in the laser cavity at the lasing wavelength. An annular antiguide structure (150) is disposed within the laser cavity and between the active region (141) and one of the first and second mirrors (141, 148), the annular antiguide structure (150) comprising an antiguide material (n2) and having a central opening, the central opening comprising a second material (n1) having an index of refraction for light at the lasing wavelength smaller than that of the antiguide material, whereby the annular antiguide structure (150) causes preferential antiguiding of higher order transverse lasing modes in the laser cavity.
(FR)L'invention concerne un laser à émission par la surface, de type VCSEL (laser à cavité verticale émettant par la surface) (100), permettant de produire une lumière laser en mode transversal unique au niveau d'une longueur d'onde de lasage, qui présente un premier miroir (121) et un second miroir (148) positionnés de manière à définir une cavité laser entre eux, et une région active (141) de semi-conducteur disposée entre le premier et le second miroir (121, 148) qui permet d'amplifier, par émission stimulée, la lumière dans la cavité laser au niveau de la longueur d'onde de lasage. Une structure d'antiguidage annulaire (150) est disposée à l'intérieur de la cavité laser et entre la région active (141) et un des premier et second miroirs(121, 148). Cette structure d'antiguidage annulaire (150) comprend un matériau d'antiguidage (n2) et présente une ouverture centrale, cette dernière comprenant un second matériau (n1) qui présente un indice de réfraction pour la lumière au niveau de la longueur d'onde de lasage inférieur à celui du matériau d'antiguidage, ladite structure d'antiguidage annulaire (150) provoquant ainsi un antiguidage préférentiel de modes de lasage transversaux d'ordre supérieur dans la cavité laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)