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1. (WO2003084005) LASER A CAVITE VERTICALE HYBRIDE COMPRENANT UNE INTERFACE ENTERREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/084005    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009159
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2003    
CIB :
H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : OPTICAL COMMUNICATION PRODUCTS, INC. [US/US]; 6101 Variel Avenue, Woodland Hills, CA 91367 (US)
Inventeurs : WASSERBAUER, John; (US).
CHIROVSKY, Leo, M., F.; (US)
Mandataire : HOLMES, Stephen, J.; Barlow, Josephs & Holmes, 101 Dyer Street, 5th Floor, Providence, RI 02903 (US)
Données relatives à la priorité :
10/105,473 25.03.2002 US
Titre (EN) HYBRID VERTICAL CAVITY LASER WITH BURIED INTERFACE
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE HYBRIDE COMPRENANT UNE INTERFACE ENTERREE
Abrégé : front page image
(EN)A vertical cavity laser (Figure 3 )includes an optical cavity (116) adjacent to a first mirror (112), the optical cavity (116) having a semiconductor portion (130) and a dielectric spacer layer (160). A dielectric DBR (114) is deposited adjacent to the dielectric spacer layer (160). The interface (162) between the semiconductor portion (130) of the optical cavity (116)and the dielectric spacer layer (160) is advantageously located at or near a null (164) in the optical standing wave intensity pattern (166) of the vertical cavity laser ( Figure 3 ) to reduce the losses or scattering associated with that interface (162).
(FR)L'invention concerne un laser à cavité verticale comprenant une cavité optique adjacente à un premier miroir, la cavité optique présentant une partie semi-conductrice et une couche d'espacement diélectrique. Un réflecteur de Bragg distribué diélectrique est déposé de manière adjacente par rapport à la couche d'espacement diélectrique. L'interface entre la partie semi-conductrice de la cavité optique et la couche d'espacement diélectrique présente un caractère avantageux en ce qu'elle est située au niveau d'un point zéro ou à proximité de celui-ci dans le diagramme d'intensité d'onde stationnaire optique du laser à cavité verticale, de manière à réduire les pertes ou la diffusion associées à cette interface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)