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1. (WO2003083950) MATERIAUX DOPES AUX NITRURES DES GROUPES III-V ET DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES AINSI QUE STRUCTURES DE PRECURSEURS DE DISPOSITIFS LES COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083950    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008355
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 19.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.10.2003    
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 33/02 (2010.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703 (US)
Inventeurs : FLYNN, Jeffrey, S.; (US).
BRANDES, George, R.; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/Technology Law, P.O. Box 14329, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
10/107,001 25.03.2002 US
Titre (EN) DOPED GROUP III-V NITRIDE MATERIALS, AND MICROELECTRONIC DEVICES AND DEVICE PRECURSOR STRUCTURES COMPRISING SAME
(FR) MATERIAUX DOPES AUX NITRURES DES GROUPES III-V ET DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES AINSI QUE STRUCTURES DE PRECURSEURS DE DISPOSITIFS LES COMPRENANT
Abrégé : front page image
(EN)A Group III-V nitride microelectronic device structure including a delta doped layer (24) and/or a doped superlattice. A delta doping method is described, including the steps of: depositing semiconductor material on a substrate by a first epitaxial film growth process; terminating the deposition of semiconductor material on the substrate to present an epitaxial film surface; delta doping the semiconductor material at the epitaxial film surface, to form a delta doping layer thereon; terminating the delta doping; resuming deposition of semiconductor material to deposit semiconductor material on the delta doping layer, in a second epitaxial film growth process; and continuing the semiconductor material second epitaxial film growth process to a predetermined extent, to form a doped microelectronic device structure, wherein the delta doping layer (24) is internalized in semiconductor material deposited in the first and second epitaxial film growth processes.
(FR)Structure de dispositif micro-électronique comprenant une couche dopée delta et/ou un super-réseau dopé, ainsi que procédé de dopage delta qui consiste en ce qui suit: déposer le matériau semi-conducteur sur un substrat par un premier processus de croissance de film épitaxial, terminer le dépôt du matériau semi-conducteur sur le substrat permettant de présenter une surface de film épitaxial, effectuer le dopage delta du matériau semi-conducteur à la surface de film épitaxial à des fins de formation d'une couche de dopage, terminer le dopage delta, recommencer le dépôt du matériau semi-conducteur à des fins de dépôt du matériau semi-conducteur à la surface de film de dopage delta, dans un deuxième processus de croissance de film épitaxial, et poursuivre le deuxième processus de croissance de film épitaxial jusqu'à un stade prédéterminé pour former une structure de dispositif micro-électronique dopé, dans lequel la couche de dopage delta est intégrée au matériau semi-conducteur déposé pendant les premier et deuxième processus de croissance de film épitaxial.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)