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1. (WO2003083927) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR ET D'UN COMPOSE ISOLATEUR UTILISANT UNE REACTION CHIMIQUE ET LA DIFFUSION PRODUITES PAR DE LA CHALEUR, COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSE ISOLATEUR OBTENUS AU MOYEN DUDIT PROCEDE, ET CELLULE PHOTOELECTRIQUE, TRANSISTOR, ET MEMOIRE LES UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083927    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/000626
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.09.2003    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/26 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, 442-742 Gyeonggi-do (KR) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-3-1 Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo (JP) (Tous Sauf US).
KIM, Joo-Ho [KR/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMINAGA, Junji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Joo-Ho; (JP).
TOMINAGA, Junji; (JP)
Mandataire : LEE, Young-Pil; The Cheonghwa Building, 1571-18, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-874 (KR)
Données relatives à la priorité :
2002-92663 28.03.2002 JP
Titre (EN) METHODS FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND INSULATOR USING CHEMICAL REACTION AND DIFFUSION BY HEATING, COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND INSULATOR MANUFACTURED USING THE METHOD, AND PHOTOCELL, ELECTRONIC CIRCUIT, TRANSISTOR, AND MEMORY USING THE SAME
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR ET D'UN COMPOSE ISOLATEUR UTILISANT UNE REACTION CHIMIQUE ET LA DIFFUSION PRODUITES PAR DE LA CHALEUR, COMPOSE SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSE ISOLATEUR OBTENUS AU MOYEN DUDIT PROCEDE, ET CELLULE PHOTOELECTRIQUE, TRANSISTOR, ET MEMOIRE LES UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)Provided are methods for manufacturing a compound semiconductor and a compound insulator using chemical reaction and diffusion induced by heating, a compound semiconductor and a compound insulator formed using the methods, and a photocell, an electronic circuit, a transistor, and a memory including the compound semiconductor or the compound insulator. The method for manufacturing a compound semiconductor or a compound insulator involves forming a stacked structure including a rare earth transition metal intermediate layer, which is highly reactive to oxygen and/or sulfur, interposed between dielectric layers containing oxygen and/or sulfur and heating the stacked structure to induce chemical reaction and diffusion between the dielectric layers and the intermediate layer, wherein the heating is performed at different temperatures for the compound semiconductor and the compound insulator.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un composé semi-conducteur et d'un composé isolateur utilisant une réaction chimique et la diffusion produites par de la chaleur, et sur le composé semi-conducteur et le composé isolateur obtenus au moyen dudit procédé, et sur une cellule photoélectrique, sur un transistor, et sur une mémoire comprenant les susdits composé semi-conducteur et composé isolateur. Ledit procédé de fabrication consiste à former une structure en pile comportant une couche intermédiaire de métal de transition réagissant fortement à l'oxygène et/ou au soufre placée entre des couches diélectriques contenant de l'oxygène et/ou du soufre et à chauffer ladite structure pour y induire une réaction chimique et une diffusion entre les couches diélectriques et la couche intermédiaire, l'échauffement se faisant à des températures différentes pour le composé semi-conducteur et pour le composé isolateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)