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1. (WO2003083921) PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083921    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003745
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 26.03.2003
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
OGAWA, Kazuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INAZAWA, Koichiro [JP/US]; (US) (US Seulement).
HAYASHI, Hisataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHIWA, Tokuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGAWA, Kazuto; (JP).
INAZAWA, Koichiro; (US).
HAYASHI, Hisataka; (JP).
OHIWA, Tokuhisa; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-99780 02.04.2002 JP
Titre (EN) METHOD OF ETCHING
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of etching capable of, when an organic material film is etched with the use of an inorganic material film as a mask, effecting etching with an excellent etching configuration while maintaining a high etching rate in correspondence to an etching pattern, at an excellent in-plane uniformity and without peeling of an inorganic material film. When an organic material film formed on an item to be treated is etched with the use of an inorganic material film as a mask by etching gas plasma in treating vessel (1), with respect to an etching pattern wherein the ratio, in terms of area ratio, of zone to be opened by etching is 40% or more, a mixed gas containing NH3 gas and O2 gas is used as an etching gas. On the other hand, with respect to an etching pattern wherein the ratio, in terms of area ratio, of zone to be opened by etching is less than 40%, NH3 gas is used as an etching gas.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'attaque chimique permettant, lorsqu'une couche de matière organique est attaquée chimiquement à l'aide d'une couche de matière inorganique telle qu'un masque, d'effectuer une attaque chimique présentant une excellente configuration d'attaque chimique tout en maintenant un niveau d'attaque chimique élevé correspondant à un modèle d'attaque chimique, selon une uniformité dans le plan excellente et sans pelage de couche de matière inorganique. Lorsqu'une couche de matière organique formée sur un article à traiter est attaquée chimiquement à l'aide d'une couche de matière inorganique telle qu'un masque par attaque chimique par plasma dans un récipient de traitement (1), par rapport à un modèle d'attaque chimique dans lequel le rapport, en termes de rapport de section, de zone à ouvrir par attaque chimique est supérieur ou égal à 40 %, un gaz mélangé contenant du gaz NH3 et du gaz O2 est utilisé en tant que gaz d'attaque chimique. D'autre part, par rapport à un modèle d'attaque chimique dans lequel le rapport, en termes de rapport de secteur, de zone à ouvrir par attaque chimique est inférieur à 40 %, du gaz NH3 est utilisé en tant que gaz d'attaque chimique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)