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1. (WO2003083919) PROCEDE DE PRODUCTION DE NANOFILS ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083919    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/001217
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 26.03.2003
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
BAKKERS, Erik, P., A., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
ROOZEBOOM, Freddy [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VERHOEVEN, Johannes, F., C., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DER SLUIS, Paul [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : BAKKERS, Erik, P., A., M.; (NL).
ROOZEBOOM, Freddy; (NL).
VERHOEVEN, Johannes, F., C., M.; (NL).
VAN DER SLUIS, Paul; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
02076280.3 28.03.2002 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING NANOWIRES AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE NANOFILS ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)In the method, semiconductor substrates are etched to provide nanowires, said substrates comprising a first layer of a first material and a second layer of a second material with a mutual interface, which first and second materials are different. They may be different in the doping type. Alternatively, the main constituent of the material may be different, for example SiGe or SiC versus Si, or InP versus InAs. In the resulting nanowires, the interface is atomically sharp. The electronic devices having nanowires between a first and second electrode accordingly have very good electroluminescent and optoelectronic properties.
(FR)L'invention concerne un procédé de production selon lequel des substrats semi-conducteurs sont soumis à une attaque chimique pour obtenir des nanofils. Ces substrats comprennent une première couche d'une première matière ainsi qu'une seconde couche d'une seconde matière séparées par une interface commune. Ces deux matières sont différentes l'une de l'autre et peuvent être dopées de manière différente. Autre possibilité, le composant principal de ces matières peut être différent, par exemple SiGe ou SiC versus Si, ou InP versus InAs. Les nanofils obtenus présentent une interface abrupte à l'échelle atomique. Ainsi, les dispositifs électroniques comprenant des nanofils entre une première et une seconde électrode présentent d'excellentes propriétés électroluminescentes et optoélectroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)