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1. (WO2003083912) ASSEMBLAGE PAR FUSION ASSISTEE PAR CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083912    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009169
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), B81C 3/00 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/326 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 21240 Burbank Boulevard, Woodland Hills, CA 91367-6675 (US)
Inventeurs : STEWART, Robert, E.; (US)
Mandataire : PATTI, Carmen, B.; Patti & Brill, LLC, One North LaSalle Street, 44th floor, Chicago, IL 60602 (US)
Données relatives à la priorité :
10/106,156 26.03.2002 US
Titre (EN) FIELD-ASSISTED FUSION BONDING
(FR) ASSEMBLAGE PAR FUSION ASSISTEE PAR CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A method of field-assisted fusion bonding produces multiple-layer devices. Contacts (301, 303, 305, 307, 309) are placed at various points along different surfaces of a combination of two or more wafers (201, 203, 205, 501, 503, 505, 801, 803). An electric field is applied to the contacts (301, 303, 305, 307, 309), thereby creating an electrostatic attractive force between the wafers (201, 203, 205, 501, 503, 505, 801, 803). The temperature of the wafer combination is elevated to a fusion bonding temperature while the electric field is applied.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'assemblage par fusion assisté par champ destiné à produire des dispositifs à couches multiples. On place des contacts (301, 303, 305, 307, 309) à divers points le long de surfaces différentes d'une combinaison d'au moins deux plaquettes (201, 203, 205, 501, 503, 505, 801, 803). On applique un champ électrique sur ces contacts (301, 303, 305, 307, 309), créant ainsi une force d'attraction électrostatique entre les plaquettes (201, 203, 205, 501, 503, 505, 801, 803). La température de la combinaison de plaquettes s'élève à une température d'assemblage par fusion lorsqu'on applique le champ électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)