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1. (WO2003083911) SYSTEME ET PROCEDE DE DETERMINATION DE L'ETAT D'UN FILM DANS UN REACTEUR A PLASMA AU MOYEN D'UNE PROPRIETE ELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083911    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008679
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.08.2003    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Mianto-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
DONOHUE, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DONOHUE, John; (US)
Mandataire : CASEY, Michael, R.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
60/367,787 28.03.2002 US
Titre (EN) A SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING THE STATE OF A FILM IN A PLASMA REACTOR USING AN ELECTRICAL PROPERTY
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE DETERMINATION DE L'ETAT D'UN FILM DANS UN REACTEUR A PLASMA AU MOYEN D'UNE PROPRIETE ELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention describes a system and method for monitoring a material film within a plasma processing device. The plasma processing device comprises a plasma reactor formed by a reactor wall and an electrode, a RF generator to couple electrical energy to the electrode, an impedance match network to maximize the transfer of electrical energy from the RF generator to the plasma through the electrode, and an electrical measurement device for measuring an electrical property of the plasma processing device. The present invention further provides a method of monitoring the state of the wall film comprising the steps of energizing the electrode by coupling electrical energy from the RF generator through the impedance match network to the electrode and forming a plasma, measuring an electrical property between the RF generator and the electrode, and determining a state of the film on the reactor wall, wherein the determining includes correlating an electrical property with the state of the wall film. In addition, the present invention provides a method for determining a time for scheduling at least one of a cleaning process and a maintenance process for the plasma reactor when the state of the film exceeds a threshold value.
(FR)l'invention concerne un système et un procédé destinés à suivre un film de matériau à l'intérieur d'un dispositif de traitement par plasma. Le dispositif de traitement par plasma comprend un réacteur à plasma formé par une paroi de réacteur et une électrode, un générateur RF afin de coupler l'énergie électrique à l'électrode, un réseau adaptatif d'impédance afin de maximiser le transfert d'énergie électrique du générateur RF au plasma via l'électrode, et un dispositif de mesure électrique destiné à mesurer une propriété électrique du dispositif de traitement par plasma. L'invention concerne aussi un procédé de suivi de l'état du film de paroi consistant à activer l'électrode par couplage de l'énergie électrique provenant du générateur RF à l'électrode via le réseau adaptatif d'impédance et à former un plasma, à mesurer une propriété électrique entre le générateur RF et l'électrode, et à déterminer un état du film de la paroi du réacteur, cette détermination consistant à corréler une propriété électrique avec l'état du film de la paroi. L'invention concerne aussi un procédé servant à déterminer l'instant de programmation au moins d'un processus de nettoyage ou de maintenance du réacteur à plasma lorsque l'état du film dépasse une valeur seuil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)