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1. (WO2003083892) DISPOSITIF DE MESURE DE L'EMISSION DE RAYONS X PRODUITE PAR UN OBJET SOUMIS A UN FAISCEAU D'ELECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083892    N° de la demande internationale :    PCT/FR2003/000987
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.10.2003    
CIB :
H01J 37/256 (2006.01)
Déposants : CAMECA [FR/FR]; 103, boulevard Saint Denis, F-92400 Courbevoie (FR) (Tous Sauf US).
DE CHAMBOST, Emmanuel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
HOMBOURGER, Chrystel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MONTERO, Juan [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MONTSALLUT, Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
STAUB, Pierre-François [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DE CHAMBOST, Emmanuel; (FR).
HOMBOURGER, Chrystel; (FR).
MONTERO, Juan; (FR).
MONTSALLUT, Pierre; (FR).
STAUB, Pierre-François; (FR)
Mandataire : LUCAS, Laurent; Thales Intellectual Property, 31-33, avenue Aristide Briand, F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
02/04074 29.03.2002 FR
Titre (EN) DEVICE FOR MEASURING THE EMISSION OF X RAYS PRODUCED BY AN OBJECT EXPOSED TO AN ELECTRON BEAM
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE L'EMISSION DE RAYONS X PRODUITE PAR UN OBJET SOUMIS A UN FAISCEAU D'ELECTRONS
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a device for measuring the emission of X rays produced by an object or sample exposed to an electron beam. The device comprises at least one subset or electronic column enabling the production and control of an electron beam, and a support enabling the measured object to be positioned.It also comprises means for spectral analysis of the X rays emitted by a sample which is to be studied, and optical means enabling the position of the sample to be controlled in relation to the beam. The energy of the beam thus created and the intensity of the stream of electrons obtained meets the requirements in terms of sensitivity, resolution and precision specified by the manufacturers of semi-conductors. The invention is used, in particular, in the control of the production of integrated circuit wafers.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de mesure de l'émission de rayons X produite par un objet, ou échantillon, soumis à un faisceau d'électrons. Le dispositif comporte au moins un sous-ensemble ou colonne électronique qui permet d'élaborer et de contrôler le faisceau d'électrons et un support permettant de positionner l'objet mesuré. II comporte également des moyens d'analyse spectrale des rayons X émis par l'échantillon à analyser et des moyens optiques permettant de contrôler la position de l'échantillon par rapport au faisceau. L'énergie du faisceau créé, ainsi que l'intensité du courant d'électrons obtenu permettent de répondre aux exigences de sensibilité, de résolution et de précision demandée par les fabricants de semi-conducteurs. L'invention s'applique notamment au contrôle de fabrication de wafer de circuits intégrés.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)