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1. (WO2003083582) COMPOSITIONS TAMPONS POUR PH PERMETTANT DE NETTOYER DES SUBSTRATS A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083582    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008408
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 18.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.10.2003    
CIB :
C11D 7/10 (2006.01), C11D 7/26 (2006.01), C11D 7/28 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 11/00 (2006.01), C23G 1/02 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Inventeurs : SEIJO, Ma, Fatima; (US).
WOJTCZAK, William, A.; (US).
BERNHARD, David; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US).
MINSEK, David; (US)
Mandataire : CHAPPUIS, Margaret; Advanced Technology Materials, Inc., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
10/105,704 25.03.2002 US
Titre (EN) PH BUFFERED COMPOSITIONS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) COMPOSITIONS TAMPONS POUR PH PERMETTANT DE NETTOYER DES SUBSTRATS A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semi-aqueous cleaning formulation useful for removing particles from semiconductor wafer substrates formed during a dry etching process for semiconductor devices, the cleaning formulation comprising a buffering system a polar organic solvent, and a fluoride source.
(FR)L'invention porte sur une préparation de nettoyage semi-aqueuse permettant d'enlever les particules de substrats de plaquettes à semi-conducteurs formés au cours d'un procédé de gravure à sec de dispositifs à semi-conducteurs. La préparation de nettoyage contient un système tampon, un solvant organique polaire, et une source de fluorure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)