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1. (WO2003083533) CRISTAL PHOTONIQUE ACCORDABLE BASSE TENSION A DEFAUTS IMPORTANTS SERVANT AU REGLAGE DE LONGUEUR D'ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083533    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009469
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2003
CIB :
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/34 (2006.01), G02B 26/00 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : KIMERLING, Lionel, C.; (US).
WADA, Kazumi; (US).
YASHA, Yi; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Samuels, Gauthier, & Stevens, LLP, 225 Franklin Street, Suite 3300, Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
60/368,498 29.03.2002 US
60/422,747 31.10.2002 US
Titre (EN) LOW VOLTAGE TUNABLE FILTRE WITH PHOTONIC CRYSTAL
(FR) CRISTAL PHOTONIQUE ACCORDABLE BASSE TENSION A DEFAUTS IMPORTANTS SERVANT AU REGLAGE DE LONGUEUR D'ONDE
Abrégé : front page image
(EN)A photonic bandgap device includes a first mirror region including alternating layers of different materials. A second mirror region includes alternating layers of different materials. An air gap cavity region is positioned between the first mirror region and second region. The air gap cavity changes its thickness when a voltage is applied so that the device is tuned to a particular resonant wavelength.
(FR)L'invention concerne un dispositif à bande interdite photonique comprenant une première région de miroir présentant des couches alternantes de divers matériaux. Une seconde région de miroir comprend des couches alternantes de divers matériaux. Une région de cavité d'entrefer est positionnée entre la première région de miroir et la seconde région. La cavité d'entrefer change d'épaisseur quand une tension est appliquée, de manière que le dispositif soit accordé sur une longueur d'onde résonnante particulière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)