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1. (WO2003083520) MICRORESONATEURS DIELECTRIQUES INORGANIQUES ACCORDABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083520    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008461
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 19.03.2003
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/13 (2006.01)
Déposants : LNL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; One Broadway, 14th Floor, Cambridge, MA 02142 (US)
Inventeurs : LEE, Kevin, K.; (US).
WADA, Kazumi; (US).
HOEPFNER, Christian; (US).
LIM, Desmond, R.; (US)
Mandataire : SCOZZAFAVA, Ph. D., MaryRose; Hale and Door L.L.P., 60 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
10/104,927 22.03.2002 US
Titre (EN) TUNABLE INORGANIC DIELECTRIC MICRORESONATORS
(FR) MICRORESONATEURS DIELECTRIQUES INORGANIQUES ACCORDABLES
Abrégé : front page image
(EN)A tunable waveguide microresonator device includes a core layer (310) and a cladding layer (330) surrounding said core. The cladding including regions surrounding the core where an evanescent field resides and at least one material (340) of the core and the cladding is comprised of a photosensitive material. The resonance position of the microresonator is adjusted by irradiating the device with UV light.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif microrésonateur accordable à guides d'ondes, qui comporte une couche d'âme et une couche de gaine enveloppant ladite âme. La gaine comprend des régions entourant l'âme où réside un champ évanescent et l'une au moins des matières qui constituent l'âme et la gaine est constituée d'une matière photosensible. La position de résonance du microrésonateur est réglée par irradiation du dispositif aux rayons ultraviolets.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)