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1. (WO2003083428) TRANSDUCTEUR CAPACITIF DE TUNGSTATE DE FER ET DE PLOMB, MATERIAU RELAXOR POUR CE DERNIER, PROCEDE DE FABRICATION DU MATERIAU RELAXOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083428    N° de la demande internationale :    PCT/IN2002/000078
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 28.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2003    
CIB :
C04B 35/497 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH [IN/IN]; Rafi Marg, New Delhi 110 001 (IN).
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY [IN/IN]; Hauz Khas, New Delhi 110 016 (IN)
Inventeurs : JAIN, Kamlesh, Kumar; (IN).
KUMAR, Vijay; (IN).
KASHYAP, Subhash, Chand; (IN)
Mandataire : HARIHARAN, Subramaniam; Subramaniam, Nataraj & Associates, E-556 Greater Kailash II, New Delhi 110 048 (IN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LEAD IRON TUNGSTATE CAPACITIVE TRANSDUCER, RELAXOR MATERIAL THEREFOR, METHOD OF MANUFACTURE OF RELAXOR MATERIAL
(FR) TRANSDUCTEUR CAPACITIF DE TUNGSTATE DE FER ET DE PLOMB, MATERIAU RELAXOR POUR CE DERNIER, PROCEDE DE FABRICATION DU MATERIAU RELAXOR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention discloses a relaxor material lead iron tungstate which has been synthesized in doped and undoped conditions by single and two step heat treatment. The relaxor material is seen to exhibit almost negligible hysteresis and a transducer made thereby shows pressure measurement capability over a wide range from 0.5MPa to 415MPa with accuracy of ± 0.05%.
(FR)La présente invention concerne un matériau Relaxor de tungstate de fer et de plomb qui a été synthétisé dans des conditions dopées et non dopées par un traitement thermique en une seule et deux étapes. Le matériau Relaxor présente une hystérésis pratiquement négligible et un transducteur composé de ce dernier présente une capacité de mesure de pression sur une large plage de 0,5 % Mpa à 415 Mpa avec une précision de +/- 0,05 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)