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1. (WO2003083166) PROCEDES ET APPAREIL DESTINES AU DEPOT DE FILMS MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083166    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/009375
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 26.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.03.2003    
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01)
Déposants : ENER1 BATTERY COMPANY [US/US]; 550W. Cypress Creek Road, Suite 120, Fort Lauderdale, FL 33309 (US)
Inventeurs : KALYNUSHKIN, Yevgen; (UA).
SHEMBEL, Elena; (US).
NOVAK, Peter; (BE).
FLURY, Chris; (CH)
Mandataire : NELSON, Gregory, A.; Akerman Senterfitt, P.O. BOx 3188, 222 Lakeview Avenue, Suite 400, West Palm Beach, FL 33402-3188 (US)
Données relatives à la priorité :
10/108,140 27.03.2002 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITION OF THIN FILMS
(FR) PROCEDES ET APPAREIL DESTINES AU DEPOT DE FILMS MINCES
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing a thin film includes the steps of providing a vapor including at least one selected vapor phase component into an evacuated chamber and condensing the vapor onto a heated substrate to form a liquid phase deposit wherein a temperature of the substrate is lower than the condensation temperature of the component. The liquid deposit is then cooled to produce a solid phase film. The invention can provide two or more vapor phase components. The invention can be used to deposit a wide variety of layers, including thin films of metallic, semiconductor and nonmetallic inorganic materials. The invention is useful for forming solid electrolytes and the electrodes for batteries, fuel cells and other electromagnetically active devices.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de déposer un film mince et comprenant les étapes consistant à placer de la vapeur comprenant au moins un composant en phase de vapeur sélectionné dans une chambre sous vide et à condenser la vapeur sur un substrat chauffé, de manière à former un dépôt en phase liquide, la température du substrat est inférieure à la température de condensation du composant. Le dépôt de liquide est ensuite refroidi, de manière à obtenir un film en phase solide. Le procédé selon l'invention peut utiliser au moins deux composants en phase vapeur et il peut être mis en oeuvre pour déposer une large palette de couches, notamment des films minces de matériaux inorganiques métalliques, semi-conducteurs ou non métalliques. Le procédé selon l'invention permet de former des électrolytes solides et les électrodes pour des batteries, des piles à combustibles et d'autres dispositifs actifs sur le plan électromagnétique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)