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1. (WO2003083165) SYSTEME ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083165    N° de la demande internationale :    PCT/KR2002/002492
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 30.12.2002
CIB :
C23C 16/50 (2006.01)
Déposants : LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 20, Yoido-Dong, Yongdungpo-Gu 150-010 Seoul (KR) (Tous Sauf US).
CHO, Cheon-Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOUN, Dong-Sik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Hyun-Wook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HA, Samchul [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHO, Cheon-Soo; (KR).
YOUN, Dong-Sik; (KR).
LEE, Hyun-Wook; (KR).
HA, Samchul; (KR)
Mandataire : PARK, Jang-Won; Jewoo Bldg. 5th Floor, 200, Nonhyun-Dong, Kangnam-Ku 135-010 Seoul (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2002-0017518 29.03.2002 KR
Titre (EN) SURFACE TREATMENT SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A surface treatment system is disclosed to form a deposition layer at a surface of an object of surface treatment by using a deposition reaction in which an electrode (110) for applying power to form a deposition reaction in the deposition chamber (100) is installed between an inner wall (120) of the deposition chamber (100) and an object of surface treatment (900) and further includes a cooling unit (200) installed at the inner wall (120) of the deposition chamber (100) facing the electrode (110) and cooling ambient thereof.
(FR)L'invention concerne un système de traitement de surface permettant de former une couche déposée à la surface d'un objet de traitement de surface par réaction par dépôt. Dans ce système, une électrode servant à appliquer un courant pour induire une réaction par dépôt dans la chambre de dépôt est disposée entre une paroi intérieure de la chambre de dépôt et un objet de traitement de surface. Ledit système comprend en outre une unité de refroidissement, montée au niveau de la paroi intérieure de la chambre de dépôt faisant face à l'électrode, et en refroidissant le milieu environnant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)