WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003082769) PRODUIT FRITTE DE MONOXYDE DE SILICIUM ET CIBLE DE PULVERISATION CONTENANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/082769    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003894
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 27.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.06.2003    
CIB :
C04B 35/14 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO TITANIUM CORPORATION [JP/JP]; 1, Higashihama-cho, Amagasaki-shi, Hyogo 660-8533 (JP) (Tous Sauf US).
NATSUME, Yoshitake [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGASAWARA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Munetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AZUMA, Kazuomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWASE, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NATSUME, Yoshitake; (JP).
OGASAWARA, Tadashi; (JP).
WATANABE, Munetoshi; (JP).
AZUMA, Kazuomi; (JP).
IWASE, Toshiharu; (JP)
Mandataire : MORI, Michio; M. MORI PATENT OFFICE, Sumitomoseimei-Amagasaki Building, 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 660-0892 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-99515 02.04.2002 JP
Titre (EN) SILICON MONOXIDE SINTERED PRODUCT AND SPUTTERING TARGET COMPRISING THE SAME
(FR) PRODUIT FRITTE DE MONOXYDE DE SILICIUM ET CIBLE DE PULVERISATION CONTENANT CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A silicon monoxide sintered product prepared through forming a raw material powder which consists of 20 to 80 mass % of a silicon powder doped with boron, phosphorus or antimony and the balanced amount of silicon monoxide or a mixture of silicon monoxide and silicon dioxide, wherein the content of silicon monoxide in the mixture is 20 % or more; and a sputtering target using the silicon monoxide sintered product. The sputtering target can be used for securing a satisfactorily high rate of film formation while providing a film reduced in variations of film characteristics, and thus can be widely and advantageously used for forming a silicon oxide thin film as a protective film for optical use, for example, for use in the prevention of gas permeation in a transparent plastic and the prevention of dissolution of Na from a glass and the protection of the surface of a lens.
(FR)L'invention concerne un produit fritté de monoxyde de silicium préparé par formation d'une poudre de matière première consistant en 20 à 80 % en masse d'une poudre de silicium dopée avec du bore, du phosphore ou de l'antimoine, le reste étant constitué de monoxyde de silicium ou d'un mélange de monoxyde de silicium et de dioxyde de silicium. La teneur en monoxyde de silicium dans le mélange est égale ou supérieure à 20 %. L'invention concerne également une cible de pulvérisation mettant en oeuvre ce produit fritté de monoxyde de silicium. Cette cible de pulvérisation peut être utilisée pour assurer une vitesse élevée satisfaisante de formation de film tout en permettant d'obtenir un film dans lequel les variations de caractéristiques sont réduites. Ainsi cette cible de pulvérisation peut être utilisée largement et de façon avantageuse pour former un film fin d'oxyde de silicium en tant que film protecteur pour une utilisation optique, par exemple, pour empêcher la pénétration de gaz dans un plastique transparent, pour empêcher la dissolution du Na d'un verre et pour protéger la surface d'une lentille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)