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1. (WO2003081956) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM POUR ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE AU MOYEN D'UN DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A COUPLAGE INDUCTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081956    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003636
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
CIB :
C23C 16/507 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : SELVAC CORPORATION [JP/JP]; 17-2, Daigo Furumichi-cho Fushimi-ku Kyoto-shi, Kyoto 601-1316 (JP) (Tous Sauf US).
WADA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WADA, Kazuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-82229 25.03.2002 JP
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR FORMING FILM FOR ORGANIC EL ELEMENT USING INDUCTIVE COUPLING CVD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM POUR ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE AU MOYEN D'UN DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A COUPLAGE INDUCTIF
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an organic electro-luminescence element which comprises using an inductive coupling plasma source as a plasma generator, and comprises forming at first a polymer film (10) on the upper surface of a cathode electrode (9) of an organic EL substrate in an evacuated vacuum vessel by the use of the plasma CVD, and then forming thereon a silicon oxynitride film and a silicon nitride film(11), wherein protective films against oxidation (10 and 11) are formed on the upper surface of the organic EL element (9) by the ICP-CVD method. The method allows the formation of the films of a polymer, silicon oxynitride and a silicon nitride, as preventive films for an organic EL, at a low temperature of 80˚C or lower with no damage of an organic material by plasma, resulting in the prevention of the entry of moisture or oxygen from outside.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent organique, qui consiste à utiliser en tant que générateur de plasma une source de plasma inductif et à former initialement un film polymère (10) sur la surface supérieure d'une électrode cathodique (9) d'un substrat électroluminescent organique dans une cuve sous vide, par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, et à former ensuite sur ledit film un film d'oxynitrure de silicium et un film de nitrure de silicium (11), les films de protection contre l'oxydation (10 et 11) étant formés à la surface supérieure de l'élément électroluminescent organique (9) par mise en oeuvre du procédé ICP-CVD. Le procédé permet la formation des films composés d'un polymère, d'un oxynitrure de silicium et d'un nitrure de silicium, qui constituent des films de protection pour un élément électroluminescent organique, à une température faible inférieure ou égale à 80° C, sans dégât occasionné à la matière organique par le plasma, ceci permettant d'empêcher la pénétration d'humidité ou d'oxygène en provenance de l'extérieur.
États désignés : AT, AU, BR, CA, CN, CZ, DE, GB, IN, KG, KR, NZ, PL, RU, SE, SG, SK, US, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)