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1. (WO2003081772) OPTIMISATION DE LA CONSOMMATION D'ENERGIE DANS DES AMPLIFICATEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081772    N° de la demande internationale :    PCT/GB2003/001309
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 20.03.2003
CIB :
H03C 1/36 (2006.01), H03F 1/02 (2006.01), H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : ROKE MANOR RESEARCH LIMITED [GB/GB]; Roke Manor Old Salisbury Lane Romsey, Hampshire SO51 0ZN (GB) (Tous Sauf US).
BIRKBECK, John, David [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BIRKBECK, John, David; (GB)
Mandataire : FRENCH, Clive; Siemens Plc P O Box 22 16 34 80506 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
0206571.2 20.03.2002 GB
0218920.7 15.08.2002 GB
0304053.2 24.02.2003 GB
Titre (EN) OPTIMISING POWER CONSUMPTION IN AMPLIFIERS
(FR) OPTIMISATION DE LA CONSOMMATION D'ENERGIE DANS DES AMPLIFICATEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides methods and apparatus for optimising power consumption in transistor amplifiers. The method comprises the step of adapting the amplifier characteristics of the transistor by adapting the bias impedance at the base of the transistor. The method may further comprise the step of adapting the amplifier characteristics of the transistor by adapting the quiescent collector current in the transistor.
(FR)Cette invention a trait à des procédés visant à optimiser la consommation d'énergie dans des amplificateurs à transistors ainsi qu'au dispositif correspondant. Le procédé consiste à adapter les caractéristiques amplificatrices des transistors par ajustement de l'impédance de polarisation à la base des transistors. Il est également possible d'adapter ces caractéristiques par ajustement du courant de collecteur au repos.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)