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1. (WO2003081687) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MUNI D'UN NANOTUBE AUTOALIGNE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081687    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/007269
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 19.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.10.2003    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US) (Tous Sauf US).
APPENZELLER, Joerg [DE/US]; (US) (US Seulement).
AVOURIS, Phaedon [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Kevin, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
COLLINS, Philip, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
MARTEL, Richard [CA/US]; (US) (US Seulement).
WONG, Hon-Sum Philip [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : APPENZELLER, Joerg; (US).
AVOURIS, Phaedon; (US).
CHAN, Kevin, K.; (US).
COLLINS, Philip, G.; (US).
MARTEL, Richard; (US).
WONG, Hon-Sum Philip; (US)
Mandataire : WALLACE, Nathaniel, T.; F. CHAU & Associates, LLP, Suite 501, 1900 Hempstead Turnpike, East Meadow, NY 11554 (US)
Données relatives à la priorité :
10/102,365 20.03.2002 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MUNI D'UN NANOTUBE AUTOALIGNE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube [104] deposited on a substrate [102], a source and a drain [106-107] formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube [104], respectively, and a gate [112] formed substantially over a portion of the carbon-nanotube [104], separated from 10 the carbon-nanotube by a dielectric film [111].
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un transistor à effet de champ muni d'un nanotube de carbone [104] déposé sur un substrat [102], d'une source et d'un drain [106-107] formés, respectivement, au niveau d'une première extrémité et d'une seconde extrémité du nanotube de carbone [104], ainsi que d'une grille [112] formée sensiblement sur une partie du nanotube de carbone [104], séparée du nanotube de carbone par un film diélectrique [111].
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)