WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003081680) DISPOSITIF A MAGNETORESISTANCE TUNNEL, DISPOSITIF DE JONCTION DE SEMICONDUCTEURS ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081680    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003604
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.2003    
CIB :
H01L 33/26 (2010.01), G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAI, Tomoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Hidekazu; (JP).
KAWAI, Tomoji; (JP)
Mandataire : HARA, Kenzo; HARAKENZO PATENT LAW FIRM, Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-86928 26.03.2002 JP
Titre (EN) TUNNELING MAGNETORESISTANCE DEVICE, SEMICONDUCTOR JUNCTION DEVICE, MAGNETIC MEMORY, AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MAGNETORESISTANCE TUNNEL, DISPOSITIF DE JONCTION DE SEMICONDUCTEURS ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A pin junction device (10) wherein a ferromagnetic p-type semiconductor layer (11) and a ferromagnetic n-type semiconductor layer (12) are junctioned through an insulating layer (13). The pin junction device exhibits a tunneling magnetoresistance in response to magnetization of both the ferromagnetic p-type semiconductor layer (11) and the ferromagnetic n-type semiconductor layer (12). In the pin junction device (10), a depletion layer is formed by applying a reverse bias, and a tunneling current is produced through the depletion layer. Even if the insulating layer is thicker than those of conventional tunneling magnetoresistance devices, a tunneling current can be produced.
(FR)L'invention concerne un dispositif de jonction à broche (10) dans lequel une couche semiconductrice de type p ferromagnétique (11) et une couche semiconductrice de type n ferromagnétique (12) sont reliées via une couche isolante (13). Le dispositif de jonction à broche produit une magnétorésistance tunnel en réponse à la magnétisation des deux couches précitées. De plus, dans le dispositif de jonction à broche (10), une couche d'appauvrissement est formée par application d'une polarisation inverse, un courant à effet tunnel étant produit via la couche d'appauvrissement. Même si la couche d'appauvrissement est plus épaisse que celles des dispositifs à magnétorésistance tunnel classiques, un courant à effet tunnel peut être produit.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)