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1. (WO2003081674) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081674    N° de la demande internationale :    PCT/GB2003/001148
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 17.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.2003    
CIB :
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
Déposants : QINETIQ LIMITED [GB/GB]; Cody Technology Park, Ively Road, Farnborough, Hampshire GU14 0LX (GB) (Tous Sauf US).
PHILLIPS, Timothy, Jonathan [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : PHILLIPS, Timothy, Jonathan; (GB)
Mandataire : GODDARD, David, John; Harrison Goddard Foote, Orlando House, 11c Compstall Road, Marple Bridge, Stockport SK6 5HH (GB).
WILLIAMS, Arthur, Wyn, Spencer; IP QinetiQ Fromalities, Cody Technology Park, A4 Building, Room G016, Ively Road, Farnborough, Hampshire GU14 0LX (GB)
Données relatives à la priorité :
0206572.0 20.03.2002 GB
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)In a field effect transistor having a quantum well is provided by a primary conduction channel (27), at least one secondary conduction channel (25, 25) immediately adjacent and in contact with the primary channel has an effect bandgap (15) greater than the effective bandgap (14) of the primary channel, and the modulus of the difference between the impact ionisation threshold IIT (17) of the primary channel and the effective conduction band offset (the height of the step) between the primary and secondary channels being no more than 0.5 Eg (effective), or (alternatively) no more than 0.4 eV. Higher energy carriers which might otherwise cause impact ionisation leading to runaway are thus diverted into the secondary channel allowing the device to run faster at increased voltages and/or to exhibit much greater resistance to runaway. The primary channel is preferably of low bandgap material, for example InSb, InAs, InAs1-ySby, In1-xGaxSb or In1-xGaxAs.
(FR)La présente invention se rapporte à un transistor à effet de champ dans lequel un puits quantique est formé par un canal de conduction primaire (27), au moins un canal de conduction secondaire (25, 25) immédiatement adjacent et en contact avec le canal primaire, ledit canal secondaire ayant une largeur de bande efficace (15) supérieure à la largeur de bande efficace (14) du canal primaire, et le module de la différence entre le seuil d'ionisation par choc IIT (17) du canal primaire et le décalage de la bande de conduction efficace (la hauteur de l'échelon) entre les canaux primaire et secondaire n'étant pas supérieur à 0,5 Eg (efficace), ou (éventuellement) pas supérieur à 0,4 eV. Les porteurs d'énergie supérieure qui pourraient sinon provoquer une ionisation par choc entraînant un emballement sont ainsi déviés vers le canal secondaire, ce qui permet au dispositif de fonctionner plus rapidement à des tensions accrues et/ou de présenter une résistance bien supérieure à l'emballement. Le canal primaire est de préférence composé d'une matière à faible bande interdite, par exemple InSb, InAs, InAs1-ySby, In1-xGaxSb ou In1-xGaxAs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)