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1. (WO2003081665) PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081665    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003454
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 20.03.2003
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Koichi; (JP)
Mandataire : SATOH, Takahisa; SOHSHIN INTERNATIONAL PATENT OFFICE, 4F, Miyaki Bldg., 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-80056 22.03.2002 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device, capable of preventing opening inside walls of a formed organic layer insulation film from being denatured or shaven at the time of etching of another organic material. This process comprises a step of depositing an organic layer insulation film (4, 6), a step of forming openings in the organic layer insulation film (4, 6) and a step of silylating wall portions of the organic layer insulation film (4, 6) which are exposed in the openings so as to modify the same (forming modified layer (4a, 6a) by silylation). A preferred process further comprises a step of forming a protective layer of inorganic insulating material (4b, 6b) on the surface of silylated opening wall portions.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur empêchant qu'un orifice à l'intérieur des parois d'un film isolant organique soit dénaturé ou arasé au moment de la gravure d'un autre matériau organique. Ce procédé consiste à déposer un film isolant organique (4, 6), à former des orifices dans ce film (4, 6) et à silyler des portions de paroi du film isolant organique (4, 6) exposées dans les orifices de façon à modifier ce film (formation de couche modifiée (4a, 6a) par sylilation). Dans un procédé préféré, une étape ultérieure consiste à former une couche de protection de matériau isolant inorganique (4b, 6b) sur la surface des portions de paroi silylées.
États désignés : DE, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)