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1. (WO2003081652) DISPOSITIF CVD ET PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN DISPOSITIF CVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081652    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003337
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 19.03.2003
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : RESEARCH INSTITUTE OF INNOVATIVE TECHNOLOGY FOR THE EARTH [JP/JP]; 2, Kizugawa-dai 9-chome Kizu-cho, Souraku-gun, Kyoto 619-0292 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAI, Katsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKURA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMURA, Masaji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ABE, Kaoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURATA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WANI, Etsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMEDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITSUI, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHIRA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONEMURA, Taisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEKIYA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAI, Katsuo; (JP).
OKURA, Seiji; (JP).
SAKAMURA, Masaji; (JP).
ABE, Kaoru; (JP).
MURATA, Hitoshi; (JP).
WANI, Etsuo; (JP).
KAMEDA, Kenji; (JP).
MITSUI, Yuki; (JP).
OHIRA, Yutaka; (JP).
YONEMURA, Taisuke; (JP).
SEKIYA, Akira; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-89048 27.03.2002 JP
2002-164687 05.06.2002 JP
Titre (EN) CVD APPARATUS AND METHOD OF CLEANING THE CVD APPARATUS
(FR) DISPOSITIF CVD ET PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN DISPOSITIF CVD
Abrégé : front page image
(EN)A method of cleaning a CVD apparatus that enables efficiently removing by-products, such as SiO2 and Si3N4, having stuck to and deposited on the surfaces of inside wall, electrode, etc. of a reaction chamber during the operation of film formation, and that minimizes the volume of cleaning gas discharged so as to decrease influences on global warming and other environmental matter, thereby enabling cost reduction. A CVD apparatus adapted to feed reaction gas into a reaction chamber so as to form a deposit film on a surface of substrate disposed in the reaction chamber, wherein an exhaust path for discharging exhaust gas from the inside of the reaction chamber by means of a pump is fitted with an exhaust gas reflux path for refluxing exhaust gas from a downstream side of the pump to the reaction chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage d'un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), qui permet d'éliminer de manière efficace les sous-produits tels que le SiO2 et le Si3N4 adhérant aux surfaces des parois intérieures, aux électrodes etc. d'une chambre de réaction et déposés sur ces dernières pendant le processus de formation de couche. Ce procédé permet en outre de réduire le volume de gaz de nettoyage distribué, diminuant ainsi les répercussions sur le réchauffement planétaire et les autres incidences sur l'environnement, et autorisant par conséquent une réduction du coût. L'invention concerne également un dispositif CVD dans lequel un gaz réactionnel est introduit dans la chambre de réaction afin de former une couche déposée sur la surface d'un substrat placé dans la chambre de réaction. Une voie d'échappement permettant d'évacuer les gaz d'échappement de l'intérieur de la chambre de réaction au moyen d'une pompe, comporte une voie de reflux des gaz d'échappement qui permet le reflux des gaz d'échappement vers la chambre de réaction depuis le côté aval de la pompe.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)