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1. (WO2003081640) STRUCTURE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET) A AILETTES CONTRAINTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081640    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008480
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 19.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.10.2003    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : CLARK, William, F.; (US).
FRIED, David, M.; (US).
LANZEROTTI, Louis, D.; (US).
NOWAK, Edward, J.; (US)
Mandataire : TOWNSEND, Tiffany, L.; International Business Machines Corporation, Dept. 18G, Bldg. 300/482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
10/101,807 19.03.2002 US
Titre (EN) STRAINED FIN FETS STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET) A AILETTES CONTRAINTES
Abrégé : front page image
(EN)A structure for a transistor that includes an insulator (10) and a silicon structure on the insulator. The silicon structure includes a central portion (155) and Fins (250) extending from ends of the central portion. A first gate (50) is positioned on a first side of the central portion of the silicon structure. A strain-producing layer (11) could be between the first gate (50) and the first side of the central portion (155) of the silicon structure and a second gate (160) is on a second side of the central portion (155) of the silicon structure.
(FR)L'invention concerne une structure destinée à un transistor, comprenant un isolant (10) et une structure de silicium sur l'isolant. La structure de silicium comporte une partie centrale (155) et des ailettes (250) qui s'étendent à partir des extrémités de la partie centrale ; une première grille (50) située sur un premier côté de la partie centrale de la structure de silicium ; une couche de contrainte (11) située entre la première grille (50) et le premier côté de la partie centrale (155) de la structure de silicium ; et une seconde grille (160) située sur un second côté de la partie centrale (155) de la structure de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)