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1. (WO2003081624) MATERIAUX A EMISSION ELECTRONIQUE DE CHAMP ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081624    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/050078
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 24.03.2003
CIB :
H01J 1/304 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : PRINTABLE FIELD EMITTERS LIMITED [GB/GB]; Atlas Centre, Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, DIDCOT, Oxfordshire OX11 0QX (GB) (Tous Sauf US).
BURDEN, Adrian, Paul [GB/SG]; (SG) (US Seulement).
BISHOP, Hugh [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
LEE, Warren [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BURDEN, Adrian, Paul; (SG).
BISHOP, Hugh; (GB).
LEE, Warren; (GB)
Mandataire : STANLEY, David; Stanleys, Kings Court, 12 King Street, Leeds, Yorkshire LS1 2HL (GB)
Données relatives à la priorité :
0206984.7 25.03.2002 GB
Titre (EN) FIELD ELECTRON EMISSION MATERIALS AND DEVICES
(FR) MATERIAUX A EMISSION ELECTRONIQUE DE CHAMP ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)In a method of creating a field electron emission material, vanadium or a vanadium compound is disposed in respective locations of a substrate in order to create a plurality of emission site at said locations, at an average density of at least 102 cm -2. Preferably, the vanadium or vanadium compound is in the form of particles.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de créer un matériau à émission électronique de champ, qui consiste à placer du vanadium ou un composé de vanadium dans des emplacements correspondants d'un substrat afin de créer plusieurs sites à émission auxdits emplacements, à une densité moyenne d'au moins 102 cm-2. De préférence, le vanadium ou le composé de vanadium se présente sous forme de particules.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)