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1. (WO2003081600) MEMOIRE FERROELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081600    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003907
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 27.03.2003
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-Chome, Shinjuku-Ku, Tokyo 163-0811 (JP)
Inventeurs : HAMADA, Yasuaki; (JP)
Mandataire : KAMIYANAGI, Masataka; c/o Intellectual Property Department, SEIKO EPSON CORPORATION, 3-5, Owa 3-Chome, Suwa-Shi, Nagano 392-8502 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-89840 27.03.2002 JP
Titre (EN) Ferroelectric Memory
(FR) MEMOIRE FERROELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A ferroelectric memory that can hold multinary storage with almost no change in a circuit of the prior art. Multinary storage is performed by changing the time, during which the write pulse is applied, according to a value to be stored. Only one voltage need be prepared for the write pulse. By setting the voltage for resetting or reading pulse to the same as the voltage for writing, it is possible to provide ferroelectric memories having the multinary function with only one voltage source.
(FR)L'invention concerne une mémoire ferroélectrique permettant un stockage multiple grâce à une modification minime d'un circuit existant. Le stockage multiple est réalisé par la modification du temps d'application d'une impulsion d'écriture en fonction d'une valeur à mémoriser. Une seule tension doit être préparée pour l'impulsion d'écriture. En réglant la tension de l'impulsion de réinitialisation ou de lecture au même niveau que la tension d'écriture, il est possible d'obtenir des mémoires ferroélectrique multifonction avec une seule source de tension.
États désignés : CN, KR.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)