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1. (WO2003081303) PROCEDE DE FABRICATION D'ELEMENT OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081303    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002944
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 27.03.2002
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/13 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8310 (JP) (Tous Sauf US).
FUJII, Yoshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOKUNAGA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJII, Yoshio; (JP).
TOKUNAGA, Takashi; (JP).
YAMADA, Koichi; (JP)
Mandataire : AOYAMA, Tamotsu; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING OPTICAL ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'ELEMENT OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating an optical element in which a plurality of etching holes are made, while modulating the hole width, in the depth direction from the major surface of a semiconductor substrate. The fabricating method comprises a step for preparing a semiconductor substrate having a major surface and a specific resistance modulated in the depth direction from the major surface, a step for defining hole part forming regions on the major surface of the semiconductor substrate, and a step for immersing the major surface into electrolyte, making the potential of the semiconductor substrate higher than that of the electrolyte and etching the semiconductor substrate electrochemically in the depth direction from the hole part forming regions to make etching holes.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément optique comportant une pluralité de trous gravés se développant à partir de la face principale d'un substrat semi-conducteur, avec modulation de la largeur du trou. Le procédé comporte plusieurs opérations. On commence par préparer un substrat semi-conducteur définissant une face principale et une résistance spécifique modulée dans l'épaisseur à partir de cette face principale. Sur la face principale du substrat semi-conducteur, on définit ensuite des régions formant des parties du trou. On termine par une immersion de la face principale dans l'électrolyte. Cette immersion permet d'amener le potentiel du substrat semi-conducteur à un niveau supérieur à celui de l'électrolyte, et ainsi d'attaquer par voie électrochimique le substrat semi-conducteur dans la profondeur à partir des régions formant des parties du trou pour réaliser les trous gravés.
États désignés : DE, JP, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)