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1. (WO2003081269) STRUCTURE DE DIFFUSIOMETRIE COMPORTANT UN OSCILLATEUR ANNULAIRE INTEGRE ET PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/081269    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/040400
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 17.12.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.10.2003    
CIB :
G01R 31/265 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, P.O. Box 9453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : NARIMAN, Homi, E.; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (US)
Données relatives à la priorité :
10/104,675 21.03.2002 US
Titre (EN) SCATTEROMETRY STRUCTURE WITH EMBEDDED RING OSCILLATOR, AND METHODS OF USING SAME
(FR) STRUCTURE DE DIFFUSIOMETRIE COMPORTANT UN OSCILLATEUR ANNULAIRE INTEGRE ET PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is generally directed to a scatterometry structure with an embedded ring oscillator 20, and various methods of using same. In one illustrative embodiment, the method comprises forming a ring oscillator 20 that comprises a first grating structure 22 comprised of a plurality of gate electrode structures 26 for a plurality of N-channel transistors and a second grating structure 24 comprised of a plurality of gate electrode structures 28 for a plurality of P-channel transistors, and measuring the critical dimension and/or profile of at least one of the gate electrode structures in the first grating 22 structure and/or the second grating structure 24 using a scatterometry tool 44. In further embodiments, the method further comprises comparing the measured critical dimension and/or profile of the gate electrode structure to a model to predict at least one electrical performance characteristic of the ring oscillator 20. In another embodiment, the method further comprises forming at least one capacitance loading structure 30, comprised of a plurality of features 32, as a portion of the ring oscillator 20, and measuring the critical dimension and/or profile of at least one of the features 32 comprising the capacitance loading structure 30 using a scatterometry tool 44. The method further comprises comparing the measured critical dimension and/or profile of the feature 32 to a model to predict at least one electrical performance characteristic of the ring oscillator 20.
(FR)L'invention concerne une structure de diffusiométrie comportant un oscillateur annulaire intégré (20), et divers procédés d'utilisation. Dans un mode de réalisation, le procédé selon l'invention consiste à former un oscillateur annulaire (20) comportant une première structure de réseau (22) composée d'une pluralité de structures d'électrodes de grille (26) destinées à une pluralité de transistors à canaux N, et une deuxième structure de réseau (24) composée d'une pluralité de structures d'électrodes de grille (28) destinées à une pluralité de transistors à canaux P, et à mesurer les dimensions et/ou le profil critiques d'au moins une des structures d'électrodes de grille dans la première structure de réseau (22) et/ou la deuxième structure de réseau (24) au moyen d'un outil de diffusiométrie (44). Dans d'autres modes de réalisation, le procédé selon l'invention consiste par ailleurs à comparer les dimensions et/ou le profil critiques de la structure d'électrodes de grille à un modèle de manière à prévoir au moins une caractéristique de performance électrique de l'oscillateur annulaire (20). Dans un autre mode de réalisation, ledit procédé consiste par ailleurs à former au moins une structure de chargement de capacitance (30) composée d'une pluralité d'éléments (32), en tant que partie de l'oscillateur annulaire (20), et à mesurer les dimensions et/ou le profil critiques d'au moins un des éléments (32) comportant la structure de chargement de capacitance (30), au moyen d'un outil de diffusiométrie (44). Ledit procédé consiste enfin à comparer les dimensions et/ou le profil critiques de l'élément (32) à un modèle de manière à prévoir au moins une caractéristique de performance électrique de l'oscillateur annulaire (20).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)