WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003080902) PROCEDE DE MICROFABRICATION DE TIO2 CRISTALLIN, ET TIO2 CRISTALLIN MICROFABRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/080902    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003499
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 24.03.2003
CIB :
C30B 33/00 (2006.01)
Déposants : WASEDA UNIVERSITY [JP/JP]; 104 Totsukamachi 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo 169-8050 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (Tous Sauf US).
OHKI, Yoshimichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANISHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOMURA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMA, Kunihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHII, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AWAZU, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIMAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHKI, Yoshimichi; (JP).
NAKANISHI, Tetsuya; (JP).
NOMURA, Kenichi; (JP).
SHIMA, Kunihiro; (JP).
ISHII, Satoshi; (JP).
AWAZU, Koichi; (JP).
FUJIMAKI, Makoto; (JP)
Mandataire : USHIKI, Mamoru; 14th Floor, Toranomon Mitsui Bldg. 8-1, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-87052 26.03.2002 JP
Titre (EN) METHOD OF MICROFABRICATING CRYSTAL TiO2 AND MICROFABRICATED CRYSTAL TiO2
(FR) PROCEDE DE MICROFABRICATION DE TIO2 CRISTALLIN, ET TIO2 CRISTALLIN MICROFABRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of microfabricating crystal TiO2 wherein deep patterns can be formed and wherein sharp and accurate fabrication can be effected, and microfabricated crystal TiO2. A substrate of rutile crystal TiO2 with a mask (3) of desired pattern formed over an upper surface thereof is irradiated with accelerated ion. Parts (2a) irradiated with ion are leached by hydrofluoric acid. Thus, an etching reflecting the pattern of the mask (3) is carried out. Further, a microstructure wherein rutile crystal TiO2 and anatase crystal TiO2 are mixed can be formed by effecting a heat treatment of parts (2a) irradiated with ion at 900 ° C or below so as to convert the same to anatase crystal TiO2.
(FR)L'invention concerne un procédé de microfabrication de TiO2 cristallin, dans lequel des motifs profonds peuvent être formés, et une fabrication précise et rapide peut être effectuée, ainsi qu'un TiO2 cristallin microfabriqué. Un substrat de TiO2 cristallin de rutile présentant un masque (3) d'un motif voulu, formé sur une surface supérieure de celui-ci est irradié au moyen d'ions accélérés. Des pièces (2a) irradiées au moyen d'ions sont lixiviées au moyen d'acide hydrofluorique. Ainsi, on obtient une attaque reflétant le motif du masque (3). En outre, une microstructure dans laquelle du TiO2 cristallin de rutile et du TiO2 cristallin d'anatase sont mélangés, peut être formée en faisant subir un traitement thermique aux pièces (2a) irradiées au moyen d'ions à une température inférieure ou égale à 900 °C, de sorte à convertir cette microstructure en TiO2 cristallin d'anatase.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)