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1. (WO2003080889) FORMATION DE BANDE INTERDITE D'ALLIAGES AL-GA-N AMORPHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/080889    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/038286
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 02.12.2002
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : OHIO UNIVERSITY [US/US]; Technology Transfer Office Technology and Enterprise Building Suite 190 20 East Circle Drive Athens, OH 45701-3751 (US)
Inventeurs : KORDESCH, Martin, E.; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Joan, N.; Killworth, Gottman, Hagan & schaeff, L.L.P. One Dayton Centre Suite 500 One South Main Street Dayton, OH 45402-2023 (US)
Données relatives à la priorité :
10/086,291 01.03.2002 US
10/086,492 01.03.2002 US
Titre (EN) BAND GAP ENGINEERING OF AMORPHOUS AL-GA-N ALLOYS
(FR) FORMATION DE BANDE INTERDITE D'ALLIAGES AL-GA-N AMORPHES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure and a scheme for forming a layer of amorphous material on a semiconductor substrate are provided. In accordance with one embodiment of the present invention, a semiconductor structure is provided comprising an amorphous alloy formed over at least a portion of a semiconductor substrate. The amorphous alloy comprises amorphous aluminum nitride (AIN) and amorphous gallium nitride (GaN). The amorphous alloy may be characterized by the following formula: Al¿x?Ga¿1-x?N where x is a value greater than zero and less than one. The amorphous alloy may further comprise indium nitride. Relative proportions of aluminum and gallium in the amorphous aluminum gallium nitride alloy are controlled to engineer the band gap of the amorphous alloy.
(FR)L'invention porte sur une structure semi-conductrice et un schéma de formation d'un matériau amorphe sur un substrat semi-conducteur. Conformément à un mode de réalisation de l'invention, une structure semi-conductrice comprend un alliage amorphe formé d'au moins une partie d'un substrat semi-conducteur. Cet alliage semi-conducteur contient du nitrure d'aluminium (AIN) et du nitrure de gallium (GaN). Cet alliage amorphe peut être caractérisé par la formule suivante: AlxGa1-xN x étant une valeur supérieure à zéro et inférieure à un. Cet alliage amorphe peut également contenir du nitrure d'indium. Des proportions relatives d'aluminium et de gallium dans l'alliage de nitrure de gallium et d'aluminium amorphe sont contrôlée afin de former la bande interdite d'alliage amorphe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)