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1. (WO2003080525) ELEMENT DE VERRE DE QUARTZ SYNTHETIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/080525    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/003618
Date de publication : 02.10.2003 Date de dépôt international : 25.03.2003
CIB :
C03B 19/14 (2006.01), C03C 3/06 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
MIZUGUCHI, Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIWARA, Seishi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOMINE, Norio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIZUGUCHI, Masafumi; (JP).
FUJIWARA, Seishi; (JP).
KOMINE, Norio; (JP)
Mandataire : KAWAKITA, Kijuro; Shinjuku MM Building 1-15, Shinjuku 5-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-83476 25.03.2002 JP
Titre (EN) SYNTHETIC QUARTZ GLASS MEMBER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ELEMENT DE VERRE DE QUARTZ SYNTHETIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a quartz glass member, wherein a sample from a quartz glass base material is exposed to F2 laser under given conditions and whether or not the peak intensity of H2 Raman scattering radiation is decreased by 80% or more from the peak intensity of H2 Raman scattering radiation with respect to a sample not exposed to F2 laser is judged. When the decrease of the peak intensity of H2 Raman scattering radiation is less than 80%, the laser resistance of the quartz glass base material is judged as being satisfactory, and a synthetic quartz glass member is worked from the base material. The compaction of the sample is also measured.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un élément de verre de quartz, selon lequel un échantillon d'un matériau de base de verre de quartz est exposé à un laser F2 dans des conditions données, et selon lequel il est décidé si l'intensité maximale d'un rayonnement de diffusion Raman H2 est diminuée de 80 % ou plus par rapport à l'intensité maximale d'un rayonnement de diffusion Raman H2 d'un échantillon non exposé au laser F2. Lorsque la diminution de l'intensité maximale du rayonnement de diffusion Raman H2 est inférieure à 80 %, la résistance au laser du matériau de base de verre de quartz est jugée satisfaisante, et un élément de verre de quartz synthétique est travaillé à partir du matériau de base. Le compactage de l'échantillon est également mesuré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)